[发明专利]静电保护电路、阵列基板、显示装置有效
| 申请号: | 201911091884.5 | 申请日: | 2019-11-08 |
| 公开(公告)号: | CN110676254B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 黄宇鹏;刘娜妮;翁祖伟 | 申请(专利权)人: | 福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 刘悦晗;姜春咸 |
| 地址: | 350300 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 静电 保护 电路 阵列 显示装置 | ||
本公开提供一种静电保护电路、阵列基板、显示装置,属于显示技术领域,其可至少部分解决现有的静电保护电路的保护性能差的问题。本公开的一种静电保护电路,包括:导电子电路,具有第一节点和第二节点;第一保护子电路,其第一端与第一节点连接,其第二端与第二节点连接,第一保护子电路包括第一子单元、第二子单元和第三子单元,第一子单元、第三子单元均与第二子单元连接,第一子单元和第三子单元配置为当导电子电路上的第一电荷达到第一预设值后控制第二子单元导通,以使第一电荷通过第二子单元释放。
技术领域
本公开属于显示技术领域,具体涉及一种静电保护电路、阵列基板、显示装置。
背景技术
在显示面板(如液晶显示面板或者有机发光二极管显示面板)的制作及运输过程中,显示面板的导电子电路(如信号线)容易产生静电放电现象。当静电放电发生时,在很短的时间内导电子电路产生很大的电流,且一旦静电放电电流流经半导体集成电路,通常会造成半导体集成电路的静电损伤,导致半导体集成电路中的绝缘介质的击穿,造成短路现象。因此,现有的显示面板中设有静电保护电路,用于防止静电放电对显示面板造成损伤。
然而,现有的静电保护电路的保护性能比较差,对过大电流的导电子电路的静电的释放速度慢,不能很好的避免静电放电对显示面板造成损伤。
发明内容
本公开至少部分解决现有的静电保护电路的保护性能差的问题,提供一种静电保护性能好的静电保护电路。
解决本公开技术问题所采用的技术方案是一种静电保护电路,包括:
导电子电路,具有第一节点和第二节点;
第一保护子电路,其第一端与第一节点连接,其第二端与第二节点连接,所述第一保护子电路包括第一子单元、第二子单元和第三子单元,所述第一子单元、第三子单元均与所述第二子单元连接,所述第一子单元和所述第三子单元配置为当所述导电子电路上的第一电荷达到第一预设值后控制所述第二子单元导通,以使所述第一电荷通过所述第二子单元释放。
在一些实施例中,所述第一子单元包括第一晶体管,其第一极连接第一节点,栅极连接第一电压端,其中,所述第一晶体管为P型晶体管,所述第一电压端的电压为正电压,第一晶体管的栅极电压与所述第一预设值差的绝对值大于第一晶体管的阈值电压;第二子单元包括第二晶体管,其第一极连接第二节点,第二极连接第二电压端,所述第二晶体管为N型晶体管,所述第二电压端的电压为负电压;第三子单元包括第一电阻,其一端连接第一晶体管的第二极和第二晶体管的栅极,另一端连接第二电压端。
在一些实施例中,所述第一电荷为正电荷。
在一些实施例中,该静电保护电路还包括:第二保护子电路第二保护子电路,其第一端与第一节点连接,其第二端与第二节点连接,所述第二保护子电路包括第四子单元、第五子单元和第六子单元,所述第四子单元、所述第六子单元均与所述第五子单元连接,所述第四子单元和所述第六子单元配置为当所述导电子电路上的第二电荷达到第二预设值后控制所述第五子单元导通,以使所述第二电荷通过所述第五子单元释放。
在一些实施例中,所述第四子单元包括第三晶体管,其栅极连接第二电压端,第二极连接第一节点,其中,所述第一晶体管为N型晶体管,第三晶体管的栅极电压与所述第二预设值的差大于第三晶体管的阈值电压;第五子单元包括第四晶体管,其第一极连接第一电压端,第二极连接第二节点,所述第二晶体管为P型晶体管;第六子单元包括第二电阻,其一端连接第三晶体管的第一极和第四晶体管的栅极,另一端连接第一电压端。
在一些实施例中,所述第二电荷为负电荷。
在一些实施例中,所述静电保护电路运用于阵列基板中,所述导电子电路为所述阵列基板中的信号线。
解决本公开技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板,包括:
上述的静电保护电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





