[发明专利]静电保护电路、阵列基板、显示装置有效
| 申请号: | 201911091884.5 | 申请日: | 2019-11-08 |
| 公开(公告)号: | CN110676254B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 黄宇鹏;刘娜妮;翁祖伟 | 申请(专利权)人: | 福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 刘悦晗;姜春咸 |
| 地址: | 350300 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 静电 保护 电路 阵列 显示装置 | ||
1.一种静电保护电路,其特征在于,包括:
导电子电路,具有第一节点和第二节点;
第一保护子电路,其第一端与第一节点连接,其第二端与第二节点连接,所述第一保护子电路包括第一子单元、第二子单元和第三子单元,所述第一子单元、第三子单元均与所述第二子单元连接,所述第一子单元和所述第三子单元配置为当所述导电子电路上的第一电荷达到第一预设值后控制所述第二子单元导通,以使所述第一电荷通过所述第二子单元释放;
所述第一子单元包括第一晶体管,其第一极连接第一节点,栅极连接第一电压端,其中,所述第一晶体管为P型晶体管,所述第一电压端的电压为正电压,第一晶体管的栅极电压与所述第一预设值差的绝对值大于第一晶体管的阈值电压;
第二子单元包括第二晶体管,其第一极连接第二节点,第二极连接第二电压端,所述第二晶体管为N型晶体管,所述第二电压端的电压为负电压;
第三子单元包括第一电阻,其一端连接第一晶体管的第二极和第二晶体管的栅极,另一端连接第二电压端。
2.根据权利要求1所述的静电保护电路,其特征在于,所述第一电荷为正电荷。
3.根据权利要求2所述的静电保护电路,其特征在于,还包括:
第二保护子电路,其第一端与第一节点连接,其第二端与第二节点连接,所述第二保护子电路包括第四子单元、第五子单元和第六子单元,所述第四子单元、所述第六子单元均与所述第五子单元连接,所述第四子单元和所述第六子单元配置为当所述导电子电路上的第二电荷达到第二预设值后控制所述第五子单元导通,以使所述第二电荷通过所述第五子单元释放。
4.根据权利要求3所述的静电保护电路,其特征在于,所述第四子单元包括第三晶体管,其栅极连接第二电压端,第二极连接第一节点,其中,所述第一晶体管为N型晶体管,第三晶体管的栅极电压与所述第二预设值的差大于第三晶体管的阈值电压;
第五子单元包括第四晶体管,其第一极连接第一电压端,第二极连接第二节点,所述第二晶体管为P型晶体管;
第六子单元包括第二电阻,其一端连接第三晶体管的第一极和第四晶体管的栅极,另一端连接第一电压端。
5.根据权利要求4所述的静电保护电路,其特征在于,所述第二电荷为负电荷。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的静电保护电路,其特征在于,所述静电保护电路运用于阵列基板中,所述导电子电路为所述阵列基板中的信号线。
7.一种阵列基板,其特征在于,包括:
权利要求1至6中任意一项所述的静电保护电路。
8.根据权利要求7所述的静电保护电路,其特征在于,还包括:
数据信号线,与所述静电保护电路中的导电子电路连接。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求7和8中任意一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





