[发明专利]一种超高分辨率微显示屏及其制造工艺在审
| 申请号: | 201911074409.7 | 申请日: | 2019-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN110660897A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
| 发明(设计)人: | 朱涛 | 申请(专利权)人: | 苏州市奥视微科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L21/683;H01L25/13 |
| 代理公司: | 32295 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 田媛 |
| 地址: | 215123 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导电焊料 驱动背板 微显示屏 超高分辨率 精准对位 像素缺陷 制造工艺 隔离柱 粘结力 对位 显影 压合 预设 显示屏 焊接 嵌入 曝光 | ||
1.一种超高分辨率微显示屏的制造工艺,其特征在于包括:
提供一驱动背板,在该驱动背板一侧表面的部分区域预留多个窗口,多个窗口之间设有金属垫;
在各所述的窗口位置设置隔离柱,多个所述的隔离柱将所述的驱动背板分隔成多个芯片区;
提供一LED外延片,所述的LED外延片包括衬底和生长在衬底上的多层半导体功能材料;
在多个所述的芯片区设置导电焊料;
将所述的LED外延片与所述的驱动背板进行免对位压合;
去除LED外延片的衬底,对所述的LED外延片进行曝光、显影,使所述的芯片区形成多个LED发光结构。
2.根据权利要求1所述的一种超高分辨率微显示屏的制造工艺,其特征在于:所述的隔离柱选用可耐受CMP以及ICP处理的材料制成。
3.根据权利要求2所述的一种超高分辨率微显示屏的制造工艺,其特征在于:所述的隔离柱的材料是SiO2、SiN、或Cr、Pt中的一种或由以上多种材料组成的多层结构。
4.根据权利要求1所述的一种超高分辨率微显示屏的制造工艺,其特征在于:所述的窗口分为与特征图形对应的特征区以及隔离多个所述的金属垫的隔离区。
5.根据权利要求1所述的一种超高分辨率微显示屏的制造工艺,其特征在于:在多个所述的芯片区设置导电焊料包括:
在所述的隔离柱形成后,在所述的驱动背板上设置一层第一焊料;
采用CMP工艺去除所述的隔离柱顶部的第一焊料。
6.根据权利要求5所述的一种超高分辨率微显示屏的制造工艺,其特征在于:所述的LED外延片上与所述的衬底相对的另一侧表面上设置有第二焊料。
7.根据权利要求1所述的一种超高分辨率微显示屏的制造工艺,其特征在于:所述的导电焊料为金属焊料,所述的免对位压合是将所述的驱动背板与所述的LED外延片在小于等于120摄氏度的条件下压合。
8.根据权利要求1所述的一种超高分辨率微显示屏的制造工艺,其特征在于:对所述的LED外延片进行曝光、显影,使所述的芯片区形成多个LED发光结构包括:
根据所述的驱动背板上的窗口图形进行对位曝光、显影,并在各所述的隔离柱上方形成V型沟槽,所述LED发光结构呈梯形,且所述的LED发光结构的最长边小于相邻两个所述的隔离柱之间的距离。
9.根据权利要求1所述的一种超高分辨率微显示屏的制造工艺,其特征在于:在所述的LED发光结构形成之后,将多个所述的LED发光结构与所述的驱动背板整体加热加压,使部分所述的LED外延结构浸入在所述的焊料内,且所述的LED发光结构的部分N型半导体功能材料低于所述的隔离柱。
10.根据权利要求9所述的一种超高分辨率微显示屏的制造工艺,其特征在于:所述的导电焊料为金属焊料,在所述的整体加热加压过程中,使所述的导电焊料与所述的金属垫完全共晶。
11.根据权利要求9所述的一种超高分辨率微显示屏的制造工艺,其特征在于:在对所述的LED发光结构与所述的驱动背板整体加热加压之前,在所述的LED发光结构上生长一层第一绝缘层;在对所述的LED发光结构与所述的驱动背板整体加热加压之后,在所述的整体加热加压后,通过CMP工艺去除部分N型半导体功能材料。
12.根据权利要求11所述的一种超高分辨率微显示屏的制造工艺,其特征在于:去除部分所述的半导体功能材料后,设置一层第二绝缘层,然后,对所述的第二绝缘层进行图形化,使N型半导体功能材料裸露,最后形成覆盖所述的N型半导体功能材料出光侧的透明导电膜。
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