[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底基板；

形成于所述衬底基板的多个像素驱动电路，所述像素驱动电路包括存储电容和晶体管；

其中，所述晶体管包括第一类晶体管和第二类晶体管，所述第一类晶体管为复合型晶体管，所述第一类晶体管包括串联的第一子晶体管和第二子晶体管，所述第一子晶体管为低温多晶硅晶体管，所述第二子晶体管为氧化物晶体管；所述第一类晶体管包括复合有源层、复合栅极、复合源极和复合漏极，所述第一类晶体管的所述复合源极或所述复合漏极与所述存储电容电连接，或者，在发光阶段，所述第一类晶体管处于关断状态；

所述像素驱动电路包括：

第一存储电容，所述第一存储电容的第一极板与电源信号线电连接；

第三晶体管，所述第三晶体管的所述栅极与所述第一存储电容的第二极板电连接；

第五晶体管，所述第五晶体管为所述第一类晶体管，所述第五晶体管的所述复合栅极与第一扫描信号线电连接，所述第五晶体管的所述复合源极与参考信号线电连接，所述第五晶体管的所述复合漏极与所述第一存储电容的第二极板电连接；

在所述第五晶体管中，所述第二子晶体管位于所述第一子晶体管靠近所述第三晶体管的所述栅极的一侧；

所述第一子晶体管包括第一有源层、第一栅极和第一源极，所述第一源极与所述第一有源层电连接；所述第二子晶体管包括第二有源层、第二栅极和第二漏极，所述第二漏极与所述第二有源层电连接，所述第一有源层与所述第二有源层电连接；

其中，所述复合有源层包括第一有源层和第二有源层，所述复合源极为所述第一源极，所述复合漏极为所述第二漏极；

所述第二有源层位于所述第一有源层背向所述衬底基板的一侧，并且，在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第二有源层与所述第一有源层交叠；

所述第一栅极复用为所述第二栅极，所述复合栅极为所述第一栅极；

所述第一栅极位于所述第一有源层和所述第二有源层之间，所述第一源极位于所述第二有源层背向所述衬底基板的一侧；

所述第一源极通过辅助连接部与所述第一有源层电连接，所述辅助连接部与所述第一栅极同层设置，或，所述辅助连接部与所述第二有源层同层设置。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极位于所述第一有源层朝向所述衬底基板的一侧。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二类晶体管为所述低温多晶硅晶体管。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素驱动电路包括：

第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与发光控制信号线电连接，所述第一晶体管的源极与所述电源信号线电连接；

第二晶体管，所述第二晶体管的所述栅极与第二扫描信号线电连接，所述第二晶体管的所述源极与数据线电连接，所述第二晶体管的漏极与所述第一晶体管的所述漏极电连接；

所述第三晶体管的所述源极与所述第二晶体管的所述漏极电连接；

第四晶体管，所述第四晶体管为所述第一类晶体管，所述第四晶体管的所述复合栅极与所述第二扫描信号线电连接，所述第四晶体管的所述复合源极与所述第一存储电容的第二极板电连接，所述第四晶体管的所述复合漏极与所述第三晶体管的所述漏极电连接；

第六晶体管，所述第六晶体管的所述栅极与所述发光控制信号线电连接，所述第六晶体管的所述源极与所述第四晶体管的所述复合漏极电连接，所述

第六晶体管的所述漏极与第一有机发光元件的阳极电连接；

第七晶体管，所述第七晶体管的所述栅极与所述第一扫描信号线电连接，所述第七晶体管的所述源极与所述参考信号线电连接，所述第七晶体管的所述漏极与所述第一有机发光元件的阳极电连接。