[发明专利]半导体刻蚀设备预防保养方法和工具

说明书

本发明公开了一种半导体刻蚀设备预防保养方法，半导体刻蚀设备包括刻蚀工艺腔体以及和所述刻蚀工艺腔体相连接的进气管路；包括步骤：步骤一、对处于真空状态的所述刻蚀工艺腔体进行破真空并打开，并对刻蚀工艺腔体内部进行清洗；步骤二、将进气管路从刻蚀工艺腔体中拆下；步骤三、采用气体吹扫方法对进气管路进行清洗，以防止所述进气管路中的残留的刻蚀气体在大气状态下对所述进气管路的内壁涂层产生腐蚀，并消除内壁涂层腐蚀产生的颗粒污染。本发明还公开了一种半导体刻蚀设备预防保养工具。本发明能防止由预防保养本身所带来的污染问题，从而能提高产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种半导体刻蚀设备预防保养(PM)方法。本发明还涉及一种半导体刻蚀设备预防保养工具。

背景技术

半导体刻蚀设备用于对晶圆上的膜层如硅，介质层或金属层等进行刻蚀，刻蚀过程中需要采用进气管路将刻蚀气体通入到刻蚀工艺腔中。现有半导体刻蚀设备预防保养方法的步骤包括：对处于真空状态的所述刻蚀工艺腔体进行破真空并打开，这里的破真空为对真空状态的所述刻蚀工艺腔体进行充气到大气状态，从使所述刻蚀工艺腔体的气压等于环境的大气压；打开所述刻蚀工艺腔体之后对所述刻蚀工艺腔体内部进行清洗。

由于对半导体刻蚀设备做预防保养是为了在半导体刻蚀设备出现问题之前对半导体刻蚀设备进行处理，通常，半导体刻蚀设备在作为预防保养之后能保持在正常的状态。

随着技术的发展，进气管路的内壁通常会增加Y2O3涂层。申请人发现，在采用现有方法对半导体刻蚀设备进行预防保养之后，尤其是对采用了Y2O3涂层的进气管路的半导体刻蚀设备进行预防保养之后，往往会产生产品污染缺陷(defect)，所以有必要对现有半导体刻蚀设备预防保养方法，以防止由于半导体刻蚀设备预防保养本身所带来的污染问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种半导体刻蚀设备预防保养方法，能防止由预防保养本身所带来的污染问题，从而能提高产品良率。为此，本发明还提供一种半导体刻蚀设备预防保养工具。

为解决上述技术问题，本发明提供的半导体刻蚀设备预防保养方法中，半导体刻蚀设备包括刻蚀工艺腔体以及和所述刻蚀工艺腔体相连接的进气管路；包括如下步骤：

步骤一、对处于真空状态的所述刻蚀工艺腔体进行破真空并打开，并对所述刻蚀工艺腔体内部进行清洗。

步骤二、将所述进气管路从所述刻蚀工艺腔体中拆下。

步骤三、采用气体吹扫方法对所述进气管路进行清洗，以防止所述进气管路中的残留的刻蚀气体在大气状态下对所述进气管路的内壁涂层产生腐蚀，并消除内壁涂层腐蚀产生的颗粒污染。

进一步的改进是，所述进气管路的内壁涂层的材料包括Y2O3。

进一步的改进是，所述半导体刻蚀设备所刻蚀的膜层材料包括硅。

进一步的改进是，所述进气管路中的残留的刻蚀气体包括氯气。

进一步的改进是，步骤三中所述气体吹扫方法采用气体管路清扫工具进行，所述气体管路清扫工具包括：

第一气体管路，所述第一气体管路的第一侧设置有第一接头，所述第一气体管路的第二侧设置有第二接头。

所述第一接头和提供吹扫气体的第二气体管路相连。

所述第二接头用于和所述进气管路相连。

进一步的改进是，所述第一接头为快速接头。

进一步的改进是，所述第二接头和所述进气管路的上游侧接头配合，所述进气管路的下游侧接头用于连接到所述刻蚀工艺腔体上。

进一步的改进是，所述第一气体管路上还设置有气体调节阀，所述气体调节阀用于调节气体的压力或流量。