[发明专利]半导体刻蚀设备预防保养方法和工具

权利要求书

1.一种半导体刻蚀设备预防保养方法，其特征在于，半导体刻蚀设备包括刻蚀工艺腔体以及和所述刻蚀工艺腔体相连接的进气管路；包括如下步骤：

步骤一、对处于真空状态的所述刻蚀工艺腔体进行破真空并打开，并对所述刻蚀工艺腔体内部进行清洗；

步骤二、将所述进气管路从所述刻蚀工艺腔体中拆下；

步骤三、采用气体吹扫方法对所述进气管路进行清洗，以防止所述进气管路中的残留的刻蚀气体在大气状态下对所述进气管路的内壁涂层产生腐蚀，并消除内壁涂层腐蚀产生的颗粒污染。

2.如权利要求1所述的半导体刻蚀设备预防保养方法，其特征在于：所述进气管路的内壁涂层的材料包括Y2O3。

3.如权利要求1所述的半导体刻蚀设备预防保养方法，其特征在于：所述半导体刻蚀设备所刻蚀的膜层材料包括硅。

4.如权利要求3所述的半导体刻蚀设备预防保养方法，其特征在于：所述进气管路中的残留的刻蚀气体包括氯气。

5.如权利要求1所述的半导体刻蚀设备预防保养方法，其特征在于：步骤三中所述气体吹扫方法采用气体管路清扫工具进行，所述气体管路清扫工具包括：

第一气体管路，所述第一气体管路的第一侧设置有第一接头，所述第一气体管路的第二侧设置有第二接头；

所述第一接头和提供吹扫气体的第二气体管路相连；

所述第二接头用于和所述进气管路相连。

6.如权利要求5所述的半导体刻蚀设备预防保养方法，其特征在于：所述第一接头为快速接头。

7.如权利要求5所述的半导体刻蚀设备预防保养方法，其特征在于：所述第二接头和所述进气管路的上游侧接头配合，所述进气管路的下游侧接头用于连接到所述刻蚀工艺腔体上。

8.如权利要求5所述的半导体刻蚀设备预防保养方法，其特征在于：所述第一气体管路上还设置有气体调节阀，所述气体调节阀用于调节气体的压力或流量。

9.如权利要求5所述的半导体刻蚀设备预防保养方法，其特征在于：所述吹扫气体包括：氮气，惰性气体，CDA。

10.一种半导体刻蚀设备预防保养工具，其特征在于，半导体刻蚀设备包括刻蚀工艺腔体以及和所述刻蚀工艺腔体相连接的进气管路；

半导体刻蚀设备预防保养工具包括气体管路清扫工具，所述气体管路清扫工具用于在半导体刻蚀设备预防保养过程中对拆下的所述进气管路进行气体吹扫并实现清洗，以防止所述进气管路中的残留的刻蚀气体在大气状态下对所述进气管路的内壁涂层产生腐蚀，并消除内壁涂层腐蚀产生的颗粒污染。

11.如权利要求10所述的半导体刻蚀设备预防保养工具，其特征在于：所述气体管路清扫工具包括：

第一气体管路，所述第一气体管路的第一侧设置有第一接头，所述第一气体管路的第二侧设置有第二接头；

所述第一接头和提供吹扫气体的第二气体管路相连；

所述第二接头用于和所述进气管路相连。

12.如权利要求11所述的半导体刻蚀设备预防保养工具，其特征在于：所述第一接头为快速接头。

13.如权利要求11所述的半导体刻蚀设备预防保养工具，其特征在于：所述第二接头和所述进气管路的上游侧接头配合，所述进气管路的下游侧接头用于连接到所述刻蚀工艺腔体上。

14.如权利要求11所述的半导体刻蚀设备预防保养工具，其特征在于：所述第一气体管路上还设置有气体调节阀，所述气体调节阀用于调节气体的压力或流量。

15.如权利要求11所述的半导体刻蚀设备预防保养工具，其特征在于：所述吹扫气体包括：氮气，惰性气体，CDA。