[发明专利]电源静电防护电路、电源模块和半导体器件

说明书

本发明涉及一种电源静电防护电路、电源模块和半导体器件。电源静电防护电路适于具有外部电源端和内部电源端的电源模块，所述外部电源端连接所述内部电源端，所述电源静电防护电路包括：第一晶体管，包括第一端、第二端和控制端，所述第一晶体管的第一端适于连接所述内部电源端，所述第一晶体管的第二端适于连接参考节点；电容，适于连接在所述外部电源端和所述第一晶体管的控制端之间；以及第一电阻，适于连接在所述内部电源端和所述第一晶体管的控制端之间。

技术领域

本发明涉及一种电源模块，尤其是涉及电源模块中的电源静电防护电路。

背景技术

半导体器件正变得更加高度集成且在越来越高的时钟速度下工作。因此，例如处理器和存储器的集成电路芯片的制造者一直缩小芯片内部电路的临界尺寸。

静电有可能显著损坏包括集成电路芯片的电子装置。因而，为了保护内部电路免受静电影响，通常在集成电路芯片的输入或输出路径内设置保护器件，并通过ESD(静电放电)测试来测试各种类型的集成电路。

然而发现，仅仅在芯片的输入或输出路径内设置保护器件并不足以保护各种芯片不受静电放电影响。例如，发现在芯片存在外部电源和内部电源的情况下，ESD测试下会出现内部电源域内部电路失效的情况。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种电源静电防护电路，可以改善内部电源域内部电路失效的情况。

本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种电源静电防护电路，适于具有外部电源端和内部电源端的电源模块，所述外部电源端连接所述内部电源端，所述电源静电防护电路包括：第一晶体管，包括第一端、第二端和控制端，所述第一晶体管的第一端适于连接所述内部电源端，所述第一晶体管的第二端适于连接参考节点；电容，适于连接在所述外部电源端和所述第一晶体管的控制端之间；以及第一电阻，适于连接在所述内部电源端和所述第一晶体管的控制端之间。

在本发明的一实施例中，所述外部电源端通过第二晶体管连接所述内部电源端。

在本发明的一实施例中，所述内部电源端通过第二电阻连接所述参考节点。

在本发明的一实施例中，所述第一晶体管包括RC触发沟道放电结构。

在本发明的一实施例中，所述RC触发沟道放电结构的RC值在100-2000ns之间。

在本发明的一实施例中，所述RC触发沟道放电结构满足非ESD设计规则。

在本发明的一实施例中，所述第一晶体管包括多个并联的子晶体管，各个子晶体管的源扩散区分别连接到同一源极，各个晶体管的漏扩散区分别连接到同一漏极。

本发明还提出一种电源模块，包括：外部电源端、连接所述外部电源端的内部电源端、以及如上所述的电源静电防护电路。

在本发明的一实施例中，所述外部电源端通过第二晶体管连接所述内部电源端。

在本发明的一实施例中，所述内部电源端通过第二电阻连接所述参考节点。

本发明还提出一种半导体器件，包括如上所述的电源模块。

在本发明的一实施例中，所述半导体器件是存储器。

本发明由于采用以上技术方案，使之与现有技术相比，通过在外部电源端和内部电源端之间设置电源静电防护电路，且电源静电防护电路中的电容连接到外部电源端以由外部电源直接触发，缩短了时间延迟，提高了内部电源的静电释放响应速度，避免内部电路因为静电防护电路不能及时开启而造成的失效。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：