[发明专利]电源静电防护电路、电源模块和半导体器件在审
| 申请号： | 201911030881.0 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110739302A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 李志国 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 内部电源 静电防护电路 外部电源 控制端 电源 电源模块 第一端 半导体器件 参考节点 电容 电阻 | ||
1.一种电源静电防护电路，适于具有外部电源端和内部电源端的电源模块，所述外部电源端连接所述内部电源端，所述电源静电防护电路包括：
第一晶体管，包括第一端、第二端和控制端，所述第一晶体管的第一端适于连接所述内部电源端，所述第一晶体管的第二端适于连接参考节点；
电容，适于连接在所述外部电源端和所述第一晶体管的控制端之间；以及
第一电阻，适于连接在所述内部电源端和所述第一晶体管的控制端之间。。
2.如权利要求1所述的电源静电防护电路，其特征在于，所述外部电源端通过第二晶体管连接所述内部电源端。
3.如权利要求1所述的电源静电防护电路，其特征在于，所述内部电源端通过第二电阻连接所述参考节点。
4.如权利要求1所述的电源静电防护电路，其特征在于，所述第一晶体管包括RC触发沟道放电结构。
5.如权利要求1所述的电源静电防护电路，其特征在于，所述RC触发沟道放电结构的RC值在100-2000ns之间。
6.如权利要求4所述的电源静电防护电路，其特征在于，所述RC触发沟道放电结构满足非ESD设计规则。
7.如权利要求1所述的电源静电防护电路，其特征在于，所述第一晶体管包括多个并联的子晶体管，各个子晶体管的源扩散区分别连接到同一源极，各个晶体管的漏扩散区分别连接到同一漏极。
8.一种电源模块，包括：
外部电源端；
内部电源端，连接所述外部电源端；以及
如权利要求1-7任一项所述的电源静电防护电路。
9.如权利要求8所述的电源模块，其特征在于，所述外部电源端通过第二晶体管连接所述内部电源端。
10.如权利要求8所述的电源模块，其特征在于，所述内部电源端通过第二电阻连接所述参考节点。
11.一种半导体器件，包括如权利要求8至10任一项所述的电源模块。
12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是存储器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
