[发明专利]显示面板和显示装置

说明书

本发明实施例涉及显示技术领域，公开了一种显示面板和显示装置。本发明中，在显示面板的第一柔性基底和多晶硅有源层之间设置非晶硅吸光层，由于非晶硅的禁带宽度与多晶硅的禁带宽度近似，通过设置非晶硅吸光层对面板显示自发光和经过反射的外界光进行有效吸收，减少了进入多晶硅有源层内光量，从而防止多晶硅有源层产生光生电子‑空穴对导致的漏电问题，提高画面显示效果稳定性，如在灰阶显示时有利于显示正常。

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

光学指纹识别AMOLED(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示装置主要包括TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板和AMOLED的各功能层。其中，对于TFT阵列基板，根据有源层的材料的不同，阵列基板可分为非晶硅(amorphous-Silicon)、低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)、高温多晶硅(High Temperature Poly-Silicon，简称HTPS)、氧化物等多种类型。其中，低温多晶硅阵列基板相对于其它类型的阵列基板具有电子迁移速率更快、薄膜电路面积更小、显示分辨率更高等优点，是目前领域内研究的热点。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：多晶硅有源层受到光照射容易产生阈值电压漂移，使TFT阵列基板的阈值电压发生漂移，导致灰阶显示不正常，画面显示效果下降。

发明内容

本发明实施方式的目的在于提供一种显示面板和显示装置，使得多晶硅有源层受光的影响降低，提高画面显示效果稳定性。

为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种显示面板，包括：堆叠设置的第一柔性基底以及第二柔性基底；多晶硅有源层，所述多晶硅有源层位于所述第二柔性基底远离所述第一柔性基底的一侧；非晶硅吸光层，所述非晶硅吸光层位于所述第一柔性基底与所述多晶硅有源层之间，所述非晶硅吸光层在所述第二柔性基底上的正投影与所述多晶硅有源层在所述第二柔性基底上的正投影至少部分重合。

相应地，本发明的实施方式还提供了一种显示装置，所述显示装置包含上述实施方式中的显示面板。

另外，与所述多晶硅有源层正对的所述非晶硅吸光层，与所述多晶硅有源层的厚度之差的绝对值与所述多晶硅有源层的厚度的比值小于或等于30％。通过合理设置非晶硅吸光层的厚度，使得非晶硅吸光层的光吸收量达到预期。

另外，与所述多晶硅有源层正对的所述非晶硅吸光层，与所述多晶硅有源层的厚度相同。通过设置非晶硅吸光层的厚度与多晶硅有源层的厚度相同，使得非晶硅吸光层的光吸收效果最佳。

另外，所述非晶硅吸光层位于所述第二柔性基底上的正投影面积小于所述第二柔性基底朝向所述多晶硅有源层一侧的表面面积。通过图形化设置非晶硅吸光层，既能保证非晶硅吸光层的光吸收量达到预期，又有利于设置非晶硅吸光层时进行应力匹配。

另外，所述多晶硅有源层在所述第二柔性基底上的正投影位于所述非晶硅吸光层在所述第二柔性基底上的正投影内。通过使多晶硅有源层在第二柔性基底上的正投影位于非晶硅吸光层在第二柔性基底上的正投影内，既能保证非晶硅吸光层的光吸收量达到预期，又减少了非晶硅吸光层的制作成本。

另外，所述非晶硅吸光层包括第一非晶硅吸光层，所述第一非晶硅吸光层位于所述第一柔性基底朝向所述第二柔性基底一侧。提供了一种非晶硅吸光层的设置位置。