[发明专利]显示面板和显示装置在审
申请号: | 201911030239.2 | 申请日: | 2019-10-28 |
公开(公告)号: | CN110911455A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 李阳;孙剑秋;李素华;李勃;于锋 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 230037 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
堆叠设置的第一柔性基底以及第二柔性基底;
多晶硅有源层,所述多晶硅有源层位于所述第二柔性基底远离所述第一柔性基底的一侧;
非晶硅吸光层,所述非晶硅吸光层位于所述第一柔性基底与所述多晶硅有源层之间,所述非晶硅吸光层在所述第二柔性基底上的正投影与所述多晶硅有源层在所述第二柔性基底上的正投影至少部分重合。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,与所述多晶硅有源层正对的所述非晶硅吸光层,与所述多晶硅有源层的厚度之差的绝对值与所述多晶硅有源层的厚度的比值小于或等于30%。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,与所述多晶硅有源层正对的所述非晶硅吸光层,与所述多晶硅有源层的厚度相同。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述非晶硅吸光层位于所述第一柔性基底上的正投影面积小于所述第一柔性基底朝向所述多晶硅有源层一侧的表面面积。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多晶硅有源层在所述第二柔性基底上的正投影位于所述非晶硅吸光层在所述第二柔性基底上的正投影内。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述非晶硅吸光层包括第一非晶硅吸光层,所述第一非晶硅吸光层位于所述第一柔性基底朝向所述第二柔性基底一侧。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括缓冲层,所述缓冲层位于所述第一柔性基底和所述第二柔性基底之间;优选地,所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层,所述第一缓冲层位于所述第二柔性基底和所述非晶硅吸光层之间,所述第二缓冲层位于所述第一柔性基底和所述非晶硅吸光层之间。
8.根据权利要求1或6所述的显示面板,其特征在于,所述非晶硅吸光层包括第二非晶硅吸光层,所述第二非晶硅吸光层位于所述第二柔性基底朝向所述多晶硅有源层一侧。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第三缓冲层,所述第三缓冲层位于所述第二非晶硅层与所述第二柔性基底之间。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的