[发明专利]一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法

说明书

本发明公开了一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法，包括以下步骤：A、向存储器写入数据前，先获取当前环境温度数据值，并将获取的所述当前的环境温度数据值与对应该当前的环境温度数据值的待写入的数据一同写入存储器；B、在第一温度范围下，获取环境温度数据值，并当所述环境温度数据值在第二温度范围时，将对应于该环境温度数据值的数据移动至另一物理内存位置。本发明通过在正常温度下主动对高低温写入的数据进行垃圾回收，从而降低数据出错的概率，延长数据的保持时间，增强可靠性。

技术领域

本发明涉及数据读写领域，特别涉及一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法。

背景技术

随着智能终端对存储容量需求不断的增大，传统的2D SLC NAND已经不能满足需求了，逐渐被3D TLC NAND替代。但是3D TLC NAND阈值电压(Vth)分布比较密集，受到环境温度的影响，浮动门(Floating Gate)存储的电子不稳定，在高低温环境下对存储设备进行编程，容易造成阈值电压偏移，在回到常温环境时，使用默认的读方式会出现大量数据bit翻转，NAND控制器解码时间过长，影响读性能的同时，数据保持时间也会缩短，因此，在闪存转换层FTL中增加对高低温读写的判断，主动更新数据显得十分重要。

发明内容

针对现有技术中并没有对异常温度环境下读写操作制定相应的策略问题，本发明提出一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法。

首先，本发明提出一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法，包括以下步骤：

A、向存储器写入数据前，先获取当前环境温度数据值，并将获取的所述当前的环境温度数据值与对应该当前的环境温度数据值的待写入的数据一同写入存储器；

B、在第一温度范围下，获取环境温度数据值，并当所述环境温度数据值在第二温度范围时，将对应于该环境温度数据值的数据移动至另一物理内存位置。

进一步，在本发明提出的上述方法中，所述闪存为3D TLC NAND闪存。

进一步，在本发明提出的上述方法中，所述第一温度范围为大于90℃或小于0℃。

进一步，在本发明提出的上述方法中，所述第二温度范围为20℃至25℃。

进一步，在本发明提出的上述方法中，所述第二温度范围为15℃至30℃。

进一步，在本发明提出的上述方法中，所述第二温度范围为10℃至35℃。

进一步，在本发明提出的上述方法中，所述第二温度范围为5℃至40℃。

第二，本发明提出一种应用上述所述方法的NAND闪存，其特征在于，包括温度传感器和闪存转换层FTL，所述温度传感器与所述闪存转换层FTL连接，并响应于所述闪存转换层FTL，发送当前温度数据值。

第三，本发明提出一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的装置，包括以下模块：

温度模块，用于向存储器写入数据前，先获取当前环境温度数据值，并将获取的所述当前的环境温度数据值与对应该当前的环境温度数据值的待写入的数据一同写入存储器；

迁移模块，用于在第一温度范围下，获取环境温度数据值，并当所述环境温度数据值在第二温度范围时，将对应于该环境温度数据值的数据移动至另一物理内存位置。

最后，本发明提出一种计算机可读存储介质，其上储存有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述所述的方法的步骤。

本发明的有益成果是：在正常温度下主动对高低温写入的数据进行垃圾回收，从而降低数据出错的概率，延长数据的保持时间，增强数据的可靠性。

附图说明