[发明专利]一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法在审
| 申请号： | 201911029059.2 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110928488A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 周坤 | 申请（专利权）人： | 广州妙存科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/02 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 郑晨鸣 |
| 地址： | 510663 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 优化 nand 闪存 低温 读写 可靠性 方法 | ||
1.一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、向存储器写入数据前，先获取当前环境温度数据值，并将获取的所述当前的环境温度数据值与对应该当前的环境温度数据值的待写入的数据一同写入存储器；
B、在第一温度范围下，获取环境温度数据值，并当所述环境温度数据值在第二温度范围时，将对应于该环境温度数据值的数据移动至另一物理内存位置。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述闪存为3D TLC NAND闪存。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一温度范围为大于90℃或小于0℃。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二温度范围为20℃至25℃。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二温度范围为15℃至30℃。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二温度范围为10℃至35℃。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二温度范围为5℃至40℃。
8.一种应用如权利要求1至7任一项所述方法的NAND闪存，其特征在于，包括温度传感器和闪存转换层FTL，所述温度传感器与所述闪存转换层FTL连接，并响应于所述闪存转换层FTL，发送当前温度数据值。
9.一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的装置，其特征在于，包括以下模块：
温度模块，用于向存储器写入数据前，先获取当前环境温度数据值，并将获取的所述当前的环境温度数据值与对应该当前的环境温度数据值的待写入的数据一同写入存储器；
迁移模块，用于在第一温度范围下，获取环境温度数据值，并当所述环境温度数据值在第二温度范围时，将对应于该环境温度数据值的数据移动至另一物理内存位置。
10.一种计算机可读存储介质，其上储存有计算机程序，其特征在于所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7之一所述的方法的步骤。
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