[发明专利]形成氧化物结构的方法

说明书

本发明提供一种形成氧化物结构的方法，包括：在衬底的顶面上形成第一组沟槽；以及对所述基板进行表面处理工艺，所述表面处理工艺包括：在基板上形成非晶层；氧化所述非晶层；去除所述非晶层的一部分以形成衬里层，其中所述非晶层的厚度比所述衬里层的厚大；以及在所述衬里层上形成电介质衬垫层。

技术领域

本公开总体上涉及形成半导体结构的方法，更具体地，涉及在半导体结构中形成氧化物结构的方法。

本申请要求于2018年12月24日提交的美国临时专利申请号62784553和于2018年12月24日提交的美国临时专利申请号62784554的优先权，在此通过引用将其并入，并作为其一部分。

背景技术

在半导体器件制造中，非晶层缺陷常导致在非晶层上方形成的氧化物结构上的污染和针孔缺陷。因此，有需要开发一种形成连续均匀的非晶层的方法。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种在半导体结构中形成氧化物结构的方法与其结构，以解决上述技术问题。

一种形成氧化物结构的方法，包括：在衬底的顶面上形成第一组沟槽；以及对所述基板进行表面处理工艺，所述表面处理工艺包括：在基板上形成非晶层；氧化所述非晶层；去除所述非晶层的一部分以形成衬里层，其中所述非晶层的厚度比所述衬里层的厚大；以及在所述衬里层上形成电介质衬垫层。

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底的顶面上形成多个沟槽；在所述衬底上进行表面处理工艺，所述表面处理工艺包括：在所述衬底的沟槽的暴露表面上形成非晶衬层；减少所述非晶衬层的厚度；和将所述非晶衬里层至少部分地转变成电介质衬垫层；以及在所述电介质衬垫层上设置导电材料以填充所述沟槽。

一种半导体结构，包括：具有多个沟槽的衬底；非晶衬层，设置在所述衬底的顶面上以及在所述多个沟槽中的至少一者内；和设置在所述非晶衬层上的电介质衬垫层。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1示出了根据本公开的一些实施例的形成氧化物结构的方法的流程图；

图2示出了根据本公开的一些实施例的形成氧化物结构的方法的流程图；

图3A-3D示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的截面示意图；

图4A-4D示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的截面示意图；

图5示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的截面示意图。

然而，要注意的是，随附图式仅说明本案之示范性实施态样并因此不被视为限制本案的范围，因为本案可承认其他等效实施态样。

主要组件符号说明

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

以下描述将参考附图以更全面地描述本发明。附图中所示为本公开的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应该被解释为限于在此阐述的示例性实施例。提供这些示例性实施例是为了使本公开透彻和完整，并且将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。类似的附图标记表示相同或类似的组件。