[发明专利]基于量子碳基膜的柔性线路板基材及其制备方法

说明书

一种基于量子碳基膜的柔性线路板基材，包括量子碳基膜和通过化学气相沉积反应沉积形成在所述量子碳基膜表面的PI膜，所述量子碳基膜经过等离子体改性处理，并具有丙烯酸接枝层。一种基于量子碳基膜的柔性线路板基材的制备方法，包括如下步骤：对量子碳基膜表面进行等离子体改性处理，然而通过接枝反应在量子碳基膜表面产生丙烯酸接枝层；通过CVD法在所述量子碳基膜表面沉积形成PI膜。在柔性碳基膜上以CVD法沉积PI薄膜得到的线路板基材，具有厚度可控、均匀性和表面平整度更好、无溶剂污染或干扰以及可以在复杂结构的表面沉积成膜等优点，且以量子碳基膜代替传统的导体铜箔层，碳基线路板导热导电性能好、比热大、耐热性能好，可靠性大大提高。

技术领域

本发明涉及柔性印制电路板(FPC)的制造，特别是涉及一种基于量子碳基膜的柔性线路板基材及其制备方法。

背景技术

PI薄膜以其优良的耐高温、机械强度、耐化药性等备受关注，如：它们在微电子行业中可以作为层间绝缘介质材料，或在全有机薄膜晶体管中作为栅极绝缘层。目前，柔性覆铜板FCCL的制造已成为电子级PI膜的最大应用领域。

FCCL是传统柔性印制电路板(FPC)的加工基板材料，其中，无胶粘剂型的FCCL又称为二层型柔性覆铜板(2L-FCCL)，具有薄、轻、可靠性及可挠性更佳的特点，以2L-FCCL为基板材料的高端FPC为COF封装型基板，被广泛应用于手机、数码相机、液晶电视以及笔记本电脑等电子产品中。生产2L-FCCL主要有三种方法：涂布法、溅镀法以及层压法。其中涂布法以工艺简单、设备投资小、导体选择度大以及剥离强度高等优点而在亚洲国家，包括中国内地和日本，得以广泛的采用。它是将聚酰亚胺的预聚体-聚酰胺酸溶液直接涂布在铜箔上，再经干燥、亚胺化等工序而得到2L-FCCL，属于传统的溶液两步合成法或湿化学法制备聚合物。涂布法的缺点是薄膜厚度、均匀性以及外观质量不易控制，且在生产中大量有机溶剂的挥发易造成环境污染。同时，随着由模拟向数码化潮流的加速，要求电子产品、医疗器械和半导体元件的CPU的进一步普及，医疗器械、半导体照明、CPU芯片的放热成为很大的问题。伴随着CPU芯片的高集聚化，线路配线宽度变窄，由于焦耳发热量增加，产生高温，特别是在有大电流经过线路的时候产生大量的焦耳热时，这样一来就会使以传统的FCCL为柔性印制电路板基材制备的FPC因导热性差的问题存在电路熔断风险。因此这就需要开发出导热性优和耐大电流通过的柔性印制电路板。

发明内容

本发明的主要目的在于克服现有技术的不足，提供一种基于量子碳基膜的柔性线路板基材及其制备方法。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

在本发明第一方面，一种基于量子碳基膜的柔性线路板基材，包括量子碳基膜和通过化学气相沉积反应沉积形成在所述量子碳基膜表面的PI膜，其中，所述量子碳基膜在气相沉积反应之前经过等离子体改性处理，并具有丙烯酸接枝层。

在本发明第二方面，一种基于量子碳基膜的柔性线路板基材的制备方法，包括如下步骤：

S1、对量子碳基膜表面进行等离子体改性处理，优选氩等离子体，然而通过接枝反应在量子碳基膜表面产生丙烯酸接枝层；

S2、通过CVD化学气相沉积反应在所述量子碳基膜表面沉积形成PI膜。

进一步地：

还包括如下步骤：

S3、对经步骤S2形成的PI膜进行快速热处理，以使其亚胺化完全并消除PI膜的内应力。

步骤S1中，等离子体处理放电功率为20W-150W，工作气压为10Pa-100Pa，处理时间为5min-30min；优选地，放电功率70W,工作压力70Pa，处理时间15min。