[发明专利]基于量子碳基膜的柔性线路板基材及其制备方法

权利要求书

1.一种基于量子碳基膜的柔性线路板基材，其特征在于,包括量子碳基膜和通过化学气相沉积反应沉积形成在所述量子碳基膜表面的PI膜，其中，所述量子碳基膜在气相沉积反应之前经过等离子体改性处理，并具有丙烯酸接枝层。

2.一种基于量子碳基膜的柔性线路板基材的制备方法，其特征在于,包括如下步骤：

S1、对量子碳基膜表面进行等离子体改性处理，然后通过接枝反应在量子碳基膜表面产生丙烯酸接枝层；

S2、通过CVD化学气相沉积反应在所述量子碳基膜表面沉积形成PI膜。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于,所述等离子体为氩等离子体。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于,还包括如下步骤：

S3、对经步骤S2形成的PI膜进行快速热处理，以使其亚胺化完全并消除PI膜的内应力。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于,步骤S1中，等离子体处理放电功率为20W-150W，工作气压为10Pa-100Pa，处理时间为5min-30min。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于,所述放电功率为70W,所述工作气 压为70Pa，所述处理时间为15min。

7.如权利要求2至5任一项所述的制备方法，其特征在于,步骤S1中，将经过等离子体处理后的量子碳基膜浸入体积浓度2％-10％的丙烯酸溶液中进行接枝反应。

8.如权利要求 7所述的制备方法，其特征在于,所述丙烯酸溶液浓度为4％。

9.如权利要求 7所述的制备方法，其特征在于,步骤S1中，浸入所述丙烯酸溶液中，经40℃水浴加热5-6小时后，用蒸馏水淋洗膜表面，再将膜浸于蒸馏水中，经60℃水浴加热24小时后，再将量子碳基膜真空干燥。

10.如权利要求2至5任一项所述的制备方法，其特征在于,步骤S2中，在所述量子碳基膜表面交替沉积单体二元酸酐前躯体和单体二元胺前驱体，并进行循环沉积，其中通过控制沉积的循环次数来控制沉积膜的厚度。

11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于,步骤S2中，一个沉积循环包括如下步骤：

S21、将蒸发的单体二元酐前驱体以惰性气体脉冲的形式送至所述量子碳基膜表面，脉冲周期为1.5-7.0s，反应器压力为2-3mbar；

S22、将蒸发的单体二元胺前驱体以惰性气体脉冲的形式送至所述量子碳基膜表面，与已经化学吸附在量子碳基膜表面的二元酐前驱体发生反应，脉冲时间：1.0-5.0s,反应器压力为2-3mbar。

12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于,所述惰性气体为氮气，步骤S21中，脉冲周期为3.0s，步骤S22中，脉冲周期为2.0s。

13.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于,所述单体二元酐前驱体为3,3’,4,4’-联苯四甲酸二酐、2,3,3’,4’-二苯醚四酸二酐、3,3’,4,4-二苯醚四酸二酐或2,2-双(3,4-二羧基苯基)六氟丙酸二酐中的一种或几种的组合；所述单体二元胺前驱体为间苯二胺、对苯二胺、3,3’-二氨基二苯醚、3,4’-二氨基二苯醚、3,3’-二氨基甲苯、3,3’-二胺二苯砜、或4,4’-二胺二苯砜中的一种或几种的组合。

14.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于,在步骤S21和步骤S22之后，先进行惰性气体吹洗1.5-3.0s，再进行下一步。

15.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于,步骤S3中，将经步骤S2刚沉积的PI膜在快速热退火炉RTA中进行热处理，热处理在惰性气体气氛中进行，热处理时间为10min，热处理温度为200-350℃。