[发明专利]一种晶圆级透镜单元及其制造方法在审
申请号: | 201910990711.0 | 申请日: | 2019-10-18 |
公开(公告)号: | CN110890391A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 李卫士;苏亚兰;谌世广;王林 | 申请(专利权)人: | 华天慧创科技(西安)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;B29C33/44;B29C59/02 |
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地址: | 710018 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆级 透镜 单元 及其 制造 方法 | ||
本发明提供一种晶圆级透镜单元及其制造方法,晶圆级透镜单元包括基板、透镜、围堰、CMOS图像传感器芯片;透镜和围堰配置在基板的上表面,围堰形成于透镜外围,透镜与围堰为一体成型结构;CMOS图像传感器芯片配置在基板下表面,CMOS图像传感器芯片通过DAF膜与基板贴合。本发明的优点在于,在压印透镜时,在透镜边缘外围直接压印出围堰结构,在透镜外围增加了围堰,起到保护透镜的作用;采用压印工艺制造形成透镜与围堰,两者为一体成型结构,成品良率高、一致性好,并且有利于透镜单元尺寸的小型化。
技术领域
本发明涉及光学技术领域,尤其涉及一种晶圆级透镜单元及其制造方法。
背景技术
随着智能手机、安防、汽车电子等市场对摄像头采购需求量的提升,摄像头行业发生了爆炸式的升级,市场对摄像头提出了更高的要求,摄像头微型化的趋势,使晶圆级光学镜头(WLO)备受瞩目。
现有的晶圆级光学镜头在作业时,由于在透镜外围没有边框围墙设计,存在透镜被损坏的风险和缺陷,成品良率低。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明提供一种晶圆级透镜单元,包括:基板、透镜、围堰、CMOS图像传感器(CIS)芯片;其中,
透镜和围堰配置在基板的上表面,围堰形成于透镜外围,透镜与围堰为一体成型结构;
CMOS图像传感器芯片配置在基板下表面,CMOS图像传感器芯片通过DAF(Die AttachFilm)膜与基板贴合。
一优选方案为,透镜与围堰由可固化材料通过压印工艺制造形成,可固化材料可以是UV固化材料、热固化材料或二者结合。
一优选方案为,围堰为环绕透镜的环状结构。
一优选方案为,为了使围堰起到保护透镜的作用,围堰的高度不低于透镜的高度。
一优选方案为,围堰设计为上部窄下部宽的结构,例如梯形、圆弧形等。
一优选方案为,围堰为梯形结构时,围堰上部的两个角为圆弧角。
一优选方案为,基板为玻璃基板。
本发明同时还提供一种晶圆级透镜单元的制造方法,包括以下步骤:
一、提供一清洁基板;
二、在基板上表面涂覆可固化材料,通过压印加工制得多个透镜与围堰;
三、在基板下表面粘接一层DAF膜;
四、在基板下表面的DAF膜上堆叠CMOS图像传感器芯片;
五、沿预设的切割道对步骤四形成的结构进行切割单个化,获得晶圆级透镜单元。
一优选方案为,基板为玻璃基板。
一优选方案为,步骤二中,利用点胶设备在基板上表面涂覆可固化材料,以压印模板成型面施压于可固化材料,压印模板成型面具有预定的压印图案以在可固化材料上转印,形成尚未固化的压印结构,对尚未固化的压印结构进行固化处理,例如热固化或UV固化或二者结合,形成固化的压印结构即一体成型的多个透镜及各透镜外围的围堰;其中,可固化材料可以是UV固化材料、热固化材料或二者结合,可固化材料可以形变,能够通过施加于其上的外力而塑形并且能够硬化。
在压印制程中,为利于从可固化材料表面脱除压印模具,避免可固化材料粘连在压印模具成型面上,将压印模具成型面转印的围堰设计为上部窄下部宽的结构,例如梯形、圆弧形等。
一优选方案为,围堰为梯形结构时,围堰上部临近透镜的角为圆弧角。
一优选方案为,步骤五中,切割方式包括激光切割、机械切割。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的