[发明专利]暂态电压抑制元件在审
申请号: | 201910988867.5 | 申请日: | 2019-10-17 |
公开(公告)号: | CN112242390A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 林正基;陈志豪 | 申请(专利权)人: | 力智电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/06 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 抑制 元件 | ||
1.一种暂态电压抑制元件,其特征在于,包括:
具有第一导电型的基底;
具有第二导电型的第一井区,位于所述基底中;
第一阳极,位于所述第一井区外的所述基底中,且包括具有所述第二导电型的第一掺杂区:
第一阴极,位于所述第一井区中,且包括:
具有所述第二导电型的第二掺杂区;以及
具有所述第一导电型的第三掺杂区,位于所述第二掺杂区与所述第一掺杂区之间;以及
第一触发节点,位于所述第一阳极与所述第一阴极之间,且包括:
具有所述第一导电型的第四掺杂区,位于所述基底中;以及
具有所述第二导电型的第五掺杂区,至少部分位于所述第一井区中且位于所述第四掺杂区与所述第三掺杂区之间。
2.根据权利要求1所述的暂态电压抑制元件,其特征在于,所述第一触发节点为电性浮置。
3.根据权利要求1所述的暂态电压抑制元件,其特征在于,所述第四掺杂区与所述第五掺杂区在同一扩散区中,且邻近所述基底的表面。
4.根据权利要求1所述的暂态电压抑制元件,其特征在于,所述第四掺杂区的掺杂浓度大于等于所述第五掺杂区的掺杂浓度。
5.根据权利要求1所述的暂态电压抑制元件,其特征在于,部分所述第四掺杂区位于所述第五掺杂区中。
6.根据权利要求1所述的暂态电压抑制元件,其特征在于,所述第一阴极还包括具有所述第一导电型的第六掺杂区,且所述第二掺杂区位于所述第六掺杂区与所述第三掺杂区之间。
7.根据权利要求1所述的暂态电压抑制元件,其特征在于,所述第一阴极还包括具有所述第二导电型的第七掺杂区,且所述第七掺杂区位于所述第二掺杂区以及所述第三掺杂区下方。
8.根据权利要求1所述的暂态电压抑制元件,其特征在于,所述第一触发节点还包括具有所述第一导电型的第二井区,位于所述第四掺杂区下方的所述基底中。
9.根据权利要求1所述的暂态电压抑制元件,其特征在于,所述第二掺杂区与所述第三掺杂区接触且为同电位。
10.根据权利要求1所述的暂态电压抑制元件,其特征在于,所述暂态电压抑制元件为以所述第一掺杂区或所述第二掺杂区为中心轴的镜像结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的