[发明专利]一种利用臭氧快速实现原子层沉积膜改性的方法

权利要求书

1.一种利用臭氧快速实现原子层沉积膜改性的方法，其特征是包括如下步骤：

1)、将待改性的有机高分子过滤膜置于原子层沉积腔体中，腔体温度设定为50-120℃，腔体压力设定为10-200Pa，氧源前驱体温度设定为20-50℃，金属源前驱体温度设定为30-120℃，运输管路温度设定为50-120℃；

2)、将金属源前驱体脉冲至反应腔体，脉冲和等待时间设定待金属源前驱体在膜表面吸附达饱和后，向反应腔体内通入氮气或氩气，将未吸附的金属源前驱体排出腔体；随后将臭氧氧源前驱体脉冲至沉积腔体，脉冲和等待时间分别设定待臭氧氧源前驱体和金属源前驱体充分反应后，向反应腔体内通入氮气或氩气，通过清洗将未反应的臭氧氧源前驱体和反应副产物排出腔体；

3)、重复步骤2)10-20次，完成膜表面活化；

4)、将金属源前驱体脉冲至反应腔体，脉冲和等待时间分别设定待金属源前驱体在膜表面吸附达饱和后，向反应腔体内通入氮气或氩气，将未吸附的金属源前驱体排出腔体；随后将去离子水氧源前驱体脉冲至沉积腔体，脉冲和等待时间分别设定，待去离子水氧源前驱体和金属源前驱体充分反应后，向反应腔体内通入氮气或氩气，通过清洗将未反应的去离子水氧源前驱体和反应副产物排出腔体；

5)、重复步骤4)50-200次，完成膜表面改性。

2.如权利要求1所述的方法，其特征是所述步骤2)中将金属源前驱体脉冲至反应腔体，脉冲和等待时间分别设定为20-60ms和5-20s。

3.如权利要求1所述的方法，其特征是所述步骤2)中臭氧氧源前驱体脉冲至沉积腔体，脉冲和等待时间分别设定为5-20ms和5-20s。

4.如权利要求1所述的方法，其特征是所述步骤4)中将金属源前驱体脉冲至反应腔体，脉冲和等待时间分别设定为20-60ms和5-20s。

5.如权利要求1所述的方法，其特征是所述步骤4)中将去离子水氧源前驱体脉冲至沉积腔体，脉冲和等待时间分别设定为10-20ms和5-20s。

6.如权利要求1所述的方法，其特征是向反应腔体内通入氮气或氩气10-30s。

7.如权利要求1所述的方法，其特征是金属源前驱体为锌源、钛源或铝源。

8.如权利要求1所述的方法，其特征是有机高分子过滤膜为聚碳酸酯滤膜、聚偏氟乙烯滤膜或聚丙烯膜。