[发明专利]一种半导体器件的形成方法

说明书

本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法。在本发明实施例中，采用过氧化氢溶液清洗所述半导体器件，以去除在光刻胶曝光过程中残留的电子。由此，能够提高半导体器件的良率，进而提高半导体器件的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。

背景技术

随着半导体制造工艺的不断发展，半导体器件的集成度越来越高，半导体器件的特征尺寸也逐渐缩小。然而，半导体器件的性能还需要提高。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法，以提高半导体器件的性能。

本发明实施例提供一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：

提供前端器件层；

在所述前端器件层上形成第一氧化层；

在所述第一氧化层上形成露出预定区域的第一氧化层的光刻胶图案；

刻蚀预定区域的所述第一氧化层；

去除所述光刻胶图案；

采用过氧化氢溶液清洗所述半导体器件，以去除残留电子。

进一步地，所述过氧化氢溶液为过氧化氢水溶液。

进一步地，所述过氧化氢溶液中过氧化氢的质量浓度为2％-10％。

进一步地，所述第一氧化层的厚度为80埃-200埃。

进一步地，在所述采用过氧化氢溶液清洗所述半导体衬底后，所述方法还包括：

采用预清洗工艺去除残留的所述光刻胶图案；

在预定区域形成第二氧化层。

进一步地，所述第二氧化层的厚度为10埃-50埃。

进一步地，所述形成第二氧化层具体为：

采用热氧化法形成所述第二氧化层。

进一步地，所述第二氧化层用作低压金属氧化物晶体管的栅介质层。

进一步地，所述半导体器件为低压金属氧化物晶体管。

在本发明实施例中，采用过氧化氢溶液清洗所述半导体器件，以去除在光刻胶曝光过程中残留的电子。由此，能够提高半导体器件的良率，进而提高半导体器件的可靠性。

附图说明

通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1-图5是对比例的半导体器件的形成方法的各步骤形成的结构的示意图；

图6是对比例的半导体器件的俯视的照片；

图7是对比例的半导体器件的剖面的照片；

图8是本发明实施例的半导体器件的形成方法的流程图；

图9-图13是本发明实施例的半导体器件的形成方法的各步骤形成的结构的示意图；

图14和图15分别是对比例和本发明实施例的在形成第二氧化层后的晶圆上的缺陷分布图；

图16为在第二氧化层上形成的栅极结构的照片；

图17和图18分别是对比例和本发明实施例的晶圆的良率测试结果。

具体实施方式