[发明专利]一种半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

提供前端器件层；

在所述前端器件层上形成第一氧化层；

在所述第一氧化层上形成露出预定区域的第一氧化层的光刻胶图案；

刻蚀预定区域的所述第一氧化层；

去除所述光刻胶图案；

采用过氧化氢溶液清洗所述半导体器件，以去除残留电子；

采用预清洗工艺去除残留的所述光刻胶图案；

在预定区域形成第二氧化层；

其中，所述过氧化氢溶液为不含杂质离子的过氧化氢水溶液。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述过氧化氢溶液中过氧化氢的质量浓度为2％-10％。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为80埃-200埃。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度为10埃-50埃。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成第二氧化层具体为：

采用热氧化法形成所述第二氧化层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二氧化层用作低压金属氧化物晶体管的栅介质层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体器件为低压金属氧化物晶体管。