[发明专利]移动NAND奇偶校验信息技术在审
申请号: | 201910955412.3 | 申请日: | 2019-10-09 |
公开(公告)号: | CN111045852A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | H·R·桑吉迪;罗贤钢;J·黄;K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢;V·P·拉亚普鲁;S·瑞特南 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;G11C29/42 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移动 nand 奇偶校验 信息技术 | ||
1.一种NAND存储器装置,其包括:
随机存取存储器RAM缓冲器;
NAND存储器单元阵列,其经组织成页、用户数据的数据条带及奇偶校验信息区中,其中所述奇偶校验信息区包含与用户信息的所述数据条带相关联的奇偶校验信息;及
控制器,其经配置以:
将第一用户数据编程到所述NAND存储器单元阵列的第一多个数据条带的第一部分;
将与第二多个数据条带相关联的当前奇偶校验信息从所述RAM缓冲器复制到所述奇偶校验信息区;
将所述第一多个数据条带的经存储奇偶校验信息从所述奇偶校验信息区复制到所述RAM缓冲器以替换与所述第二多个数据条带相关联的所述当前奇偶校验信息;及
使用所述经存储奇偶校验信息及所述第一用户数据确定所述第一多个数据条带的新奇偶校验信息。
2.根据权利要求1所述的NAND存储器装置,其中所述多个第一数据条带中的每一数据条带横跨所述NAND存储器单元阵列的多个页。
3.根据权利要求2所述的NAND存储器装置,其中每一数据条带的所述NAND存储器的所述多个页中的每一页与所述NAND存储器装置的字线相关联;且
其中在所述NAND存储器阵列的平面内,第一数据条带的页由所述第一数据条带中的每一其它页通过至少多个字线分离。
4.根据权利要求1所述的NAND存储器装置,其中所述奇偶校验信息区的大小大于所述RAM缓冲器。
5.根据权利要求1所述的NAND存储器装置,其中所述RAM缓冲器包含静态RAMSRAM。
6.一种方法,其包括:
用第一数据编程NAND存储器装置的第一数目个数据条带;
将与所述第一数目个数据条带相关联的第一数目个奇偶校验信息从所述NAND存储器装置的NAND存储器加载到所述NAND存储器装置的随机存取存储器RAM缓冲器;
使用所述第一数据刷新所述第一数目个奇偶校验信息;
用第二数据编程所述NAND存储器的第二数目个数据条带;
将所述第一数目个奇偶校验信息复制到所述NAND存储器的奇偶校验信息区;
将与所述第二数目个数据条带相关联的第二数目个奇偶校验信息从所述奇偶校验信息区加载到所述RAM缓冲器以替换所述第一数目个奇偶校验信息;及
使用所述第二数据刷新所述第二数目个奇偶校验信息。
7.根据权利要求6所述的方法,所述第一数目个数据条带中的每一数据条带横跨所述NAND存储器装置的NAND存储器单元阵列的多个页。
8.根据权利要求7所述的方法,其中每一数据条带的所述多个页中的每一页与所述NAND存储器装置的字线相关联;且
其中在所述NAND存储器阵列的平面内,第一数据条带的页由所述第一数据条带中的每一其它页通过多个字线分离。
9.根据权利要求7所述的方法,所述第二数目个数据条带中的每一数据条带横跨所述NAND存储器单元阵列的所述多个页。
10.根据权利要求6所述的方法,其中所述RAM缓冲器的大小小于所述第一数目个奇偶校验信息与所述第二数目个奇偶校验信息的经组合大小。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述RAM缓冲器的所述大小小于所述NAND存储器的奇偶校验信息区。
12.根据权利要求6所述的方法,其中所述将与所述第一数目个数据条带相关联的第一数目个奇偶校验信息从所述NAND存储器装置的NAND存储器加载到所述NAND存储器装置的随机存取存储器RAM缓冲器包含将与所述第一数目个数据条带相关联的第一数目个奇偶校验信息从所述NAND存储器装置的NAND存储器加载到所述NAND存储器装置的静态RAM SRAM缓冲器。
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