[发明专利]电容式电子芯片部件

说明书

本公开的实施例涉及电容式电子芯片部件。本公开涉及一种电容部件，包括沟槽以及与沟槽竖直排列的第一氧化硅层的第一部分和包括多晶硅或非晶硅的第二导电层和第三导电层的第一部分，第一层的第一部分位于第二层和第三层的第一部分之间并与第二层和第三层的第一部分接触。

技术领域

本公开一般涉及电子装置，并且特别是电子集成电路芯片的电容部件和包括这种电容部件的电子芯片。

背景技术

电子集成电路芯片通常包括晶体管和/或存储器单元。这种芯片通常还包括电容部件。

发明内容

实施例克服了已知电子芯片的全部或部分缺点。

实施例克服了已知电子芯片电容部件的全部或部分缺点。

实施例提供了一种电容部件，包括沟槽以及与沟槽竖直排列的第一氧化硅层的第一部分和包括多晶硅或非晶硅的第二导电层和第三导电层的第一部分，第一层的第一部分位于第二层和第三层的第一部分之间并与第二层和第三层的第一部分接触。

根据实施例，第二层的第一部分与第三层的第一部分竖直排列地定位。

根据实施例，第一层、第二层和第三层的第一部分形成堆叠。

根据实施例，第一层、第二层和第三层的第一部分的侧面对应于所述堆叠的侧面。

根据实施例，所述堆叠完全位于沟槽上方。

根据实施例，电容部件包括位于沟槽中的绝缘层。

根据实施例，绝缘层完全填满沟槽。

根据实施例，沟槽填充有由绝缘层与沟槽壁隔开的多晶硅壁。

根据实施例，第二层的第一部分的外围通过氧化物-氮化物-氧化物三层结构的环形部分与第三层的第一部分分离。

实施例提供了一种电子芯片，其包括如上文所定义的第一电容部件。

根据实施例，该芯片还包括晶体管栅极，该晶体管栅极包括第二层的第二部分并且搁置在第一层的第二部分上。

根据实施例，芯片包括例如上文所定义的第二电容部件，第一电容部件和第二电容部件的第二层和第三层是共用的，并且这些第一层具有不同的厚度。

根据实施例，该芯片包括附加的电容部件，该电容部件包括在第二层和第三层的附加部分之间的氧化物-氮化物-氧化物三层结构的第一部分。

根据实施例，芯片包括位于存储器单元的浮置栅极和控制栅极之间的三层结构的第二部分，浮置栅极和控制栅极优选地分别包括第二层和第三层的部分。

实施例提供了一种形成电容部件的方法，包括形成沟槽以及与沟槽竖直排列的第一氧化硅层的第一部分和包括多晶硅或非晶硅的第二导电层和第三导电层的第一部分，第一层的第一部分位于第二层和第三层的第一部分之间并与第二层和第三层的第一部分接触。

根据实施例，第一、第二层和第三层的第一部分形成堆叠，通过蚀刻围绕堆叠的区域，从第一、第二层和第三层获得堆叠。

根据实施例，该方法是一种形成电子芯片的方法。

根据实施例，该方法包括同时形成第一层和晶体管的至少一部分栅极绝缘体。

根据实施例，该方法包括同时形成第二层和存储器单元的至少一部分浮置栅极。

根据实施例，该方法包括同时形成第三层和晶体管栅极的至少一部分。

在下面结合附图在特定实施例的以下非限制性描述中将详细讨论前述和其他的特征和优点。

附图说明