[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

公开了显示装置和显示装置的制造方法。显示装置包括基础衬底、有源图案、栅极绝缘层、栅电极、第一绝缘层以及源电极和漏电极，有源图案布置在基础衬底上，栅极绝缘层布置在有源图案上，栅电极布置在栅极绝缘层上并且与有源图案重叠，第一绝缘层布置在栅电极上并且具有约5原子百分比(at.％)至约30原子百分比的氢总量，并且源电极和漏电极布置在第一绝缘层上并且电连接到有源图案。

技术领域

本发明的示例性实施方式涉及显示装置和显示装置的制造方法。更具体地，本发明的示例性实施方式涉及能够改善显示品质的显示装置和显示装置的制造方法。

背景技术

近来，已制造出重量轻且尺寸小的显示装置。阴极射线管(“CRT”)显示装置已经因其性能和有竞争力的价格而被使用。然而，CRT显示装置具有尺寸或便携性的弱点。因此，诸如等离子显示装置、液晶显示装置和有机发光显示装置的显示装置因其尺寸小、重量轻和功耗低而备受推崇。

显示装置包括用于显示图像的多个像素结构，并且每个像素结构包括薄膜晶体管(“TFT”)。此处，当TFT的特性根据工艺条件的变化等而改变时，可能无法获得期望的显示品质。

发明内容

本发明的一个或更多个示例性实施方式提供了能够改善显示品质的显示装置。

本发明的一个或更多个示例性实施方式也提供了显示装置的制造方法。

根据本发明的示例性实施方式，显示装置包括基础衬底、有源图案、栅极绝缘层、栅电极、第一绝缘层以及源电极和漏电极，有源图案布置在基础衬底上，栅极绝缘层布置在有源图案上，栅电极布置在栅极绝缘层上并且与有源图案重叠，第一绝缘层布置在栅电极上并且具有约5原子百分比(at.％)至约30原子百分比的氢总量，并且源电极和漏电极布置在第一绝缘层上并且电连接到有源图案。

在示例性实施方式中，栅电极可包括具有铝(Al)或铝合金的导电层、布置在导电层上并且包括氮化钛(TiN_x)的第一覆盖层以及布置在第一覆盖层上并且包括钛(Ti)的第二覆盖层。

在示例性实施方式中，包含在栅电极的第一覆盖层中的氮和钛的原子比(其是氮原子数除以钛原子数)可为约0.9至约1.2。

在示例性实施方式中，有源图案可包括多晶硅。

在示例性实施方式中，第一绝缘层可包括硅(Si)、氮(N)和氢(H)。

在示例性实施方式中，第一绝缘层中的Si-H键可为约0.1at.％至约10at.％。

在示例性实施方式中，显示装置还可包括第二绝缘层和存储电极，第二绝缘层布置在第一绝缘层上，并且存储电极布置在第一绝缘层与第二绝缘层之间并且与栅电极重叠。源电极和漏电极可布置在第二绝缘层上。存储电极可包括具有铝(Al)或铝合金的导电层、布置在导电层上并且包括氮化钛(TiN_x)的第一覆盖层以及布置在第一覆盖层上并且包括钛(Ti)的第二覆盖层。

在示例性实施方式中，包含在栅电极的第一覆盖层中的氮和钛的原子比(其是氮原子数除以钛原子数)可为约0.9至约1.2。

在示例性实施方式中，显示装置还可包括通孔绝缘层和发光结构，通孔绝缘层布置在源电极和漏电极上，并且发光结构布置在通孔绝缘层上。

在示例性实施方式中，发光结构可包括布置在通孔绝缘层上并且电连接到漏电极的第一电极、布置在第一电极上的发光层以及布置在发光层上的第二电极。包括有源图案、栅电极、源电极和漏电极的TFT可为用于向发光结构供给驱动电流的驱动晶体管。

在示例性实施方式中，第一绝缘层可包括硅(Si)、氮(N)和氢(H)。第一绝缘层中的Si-H键可为约0.1at.％至约10at.％。