[发明专利]高稳定的钙钛矿量子点复合材料及其制备方法有效
申请号: | 201910921154.7 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN110564416B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 周文理;王恩胜;廉世勋;张瑞勤 | 申请(专利权)人: | 湖南师范大学;深圳京鲁计算科学应用研究院 |
主分类号: | C09K11/66 | 分类号: | C09K11/66;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 常州智慧腾达专利代理事务所(普通合伙) 32328 | 代理人: | 杨雪 |
地址: | 410081*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 稳定 钙钛矿 量子 复合材料 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种高稳定的钙钛矿量子点复合材料Al2O3/CsPbX3(X=Cl,Br,I,Cl/Br和Br/I)及其制备方法。通过以Al2O3作为基质,可以在量子点合成前将Al2O3连同量子点原料一同加入反应器,也可以向合成好的量子点溶液体系中加入Al2O3。在室温下搅拌使量子点充分吸附于Al2O3表面,然后将混合液离心分离,沉淀用乙酸甲酯或乙酸乙酯洗涤后再次离心。最后将沉淀干燥,可得到Al2O3/CsPbX3复合材料。该方法操作简单,具有很好的市场价值,易于推广。
技术领域
本发明涉及材料学领域,更具体地说是涉及一种高稳定的钙钛矿量子点复合材料Al2O3/CsPbX3(X=Cl,Br,I,Cl/Br和Br/I)及其制备方法。
背景技术
近年来,在各类光电材料中,钙钛矿量子点以其优异的性能脱颖而出。相对于有机无机杂化钙钛矿量子点,全无机钙钛矿量子点(IPQDs)的稳定性更高。IPQDs因具有光吸收系数高、发射光谱窄、光致发光量子产率(PLQY)高、组成与尺寸可调、发射光谱可调、以及光致发光和电致发光等特性而备受关注。这些特性使之成为当前最具潜力的光电材料之一,广泛应用于发光二极管(LEDs)、太阳能电池、光电探测器、激光等领域。然而,对于实际应用而言,IPQDs的稳定性显然不足。其不稳定性主要体现在:(1)对极性溶剂十分敏感,导致其分解;(2)在水、高温、光照、氧气等条件下的稳定性差。
在现有技术中,一个基本的思路是在CsPbX3 QDs表面涂上一层保护层,使其与环境物理隔离,达到提升环境稳定性的效果。例如,通过以介孔二氧化硅为基质,将CsPbX3量子点负载在二氧化硅基质的孔道中,提高钙钛矿量子点的稳定性(WangH.C.etal.Angew.Chem.Inter.Ed.,2016,55(28),7924.)。Zhang的团队将钙钛矿QDs嵌入二氧化硅中,以显著提高其空气稳定性。但该方法中CsPbX3量子点只是物理地沉积在介孔二氧化硅的孔道中,并不能有效避免水对钙钛矿量子点的破坏。同样,Li和同事将CsPbBr3掺入硅/氧化铝单晶中,形成的复合材料具有较高的光稳定性。王的研究小组将CsPbX3 QDs嵌入多孔有机聚合物框架中,制备出了耐水的CsPbX3QDs。通过原子层沉积(ALD)技术,在CsPbBr3膜上生长一层非晶态的AlOx层,使其免受水、光和热的破坏。然而,这些策略还很不完善,潜在的缺点包括:稳定性的提高有限、牺牲PLQY、绝缘的保护壳层,将阻碍钙钛矿QDs和其他半导体之间的电荷转移,并最终影响它们的光电应用。目前,如何提高裸露CsPbX3 QDs的环境稳定性是一个紧迫的挑战。最近,Yin的团队报道了通过复杂的界面合成了高度稳定的CsPbBr3/SiO2和CsPbBr3/Ta2O5 Janus复合材料。他们系统地研究了复合物在己烷/水界面的生长。然而,对于半裸露QDs的稳定性改善机制缺乏详细研究。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本发明的目的在于提供一种稳定全无机钙钛矿量子点的方法。该方法以Al2O3为基质,将钙钛矿量子点吸附于Al2O3的表面,使其稳定性大大提高;同时整个实验过程简单,所需时间较短。
为实现上述目的,本发明提供了如下技术方案:一种用于稳定全无机钙钛矿量子点的方法,包括以下步骤:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南师范大学;深圳京鲁计算科学应用研究院,未经湖南师范大学;深圳京鲁计算科学应用研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910921154.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。