[发明专利]发光元件在审
申请号: | 201910921019.2 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN111092072A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 谢明勋 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L33/48;G09G3/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
本发明公开一种发光元件,包含一第一发光区域、一第二发光区域、以及一第三发光区域。第一发光区域包含一第一发光单元,用以发出红光。第二发光区域包含一第二发光单元,用以发出蓝光。第三发光区域包含一第三发光单元,用以发出绿光。第一发光区域大于第二发光区域与第三发光区域。第一发光单元、第二发光单元、以及第三发光单元的一长与宽都小于100μm。
技术领域
本发明涉及一种发光元件的结构设计,尤其是涉及一种具有多个发光单元的发光元件。
背景技术
发光二极管(Light-emitting diode;LED)具有耗能低、寿命长、体积小、反应速度快以及光学输出稳定等特性,逐渐取代传统的照明光源而被应用于各式照明装置中。
尺寸缩小的发光二极管在高分辨率的打印机以及高分辨率的显示器有其应用的优势。发光二极管具有一叠层的结构,包含第一半导体层(first semiconductor layer)、第二半导体层(second semiconductor layer)、以及活性叠层(active stack)位于第一半导体层与第二半导体层之间。然而,当发光二极管的体积缩小时,例如,面积小于2500μm2时,发光二极管侧壁因蚀刻造成的晶格缺陷,使得活性叠层端面(end surface)的非辐射复合效应(non-radiative recombination)的影响变得显著,导致发光二极管的发光效率下降。
非辐射复合效应是空穴和电子在发光叠层结合后不是以光子的形式释放,而是以热的形式释放。非辐射复合效应容易发生在发光二极管的侧表面上。非辐射复合效应是因制造步骤中,例如切割或/和蚀刻,使得发光二极管的侧表面受损,而活性叠层靠近侧表面(端面)的悬键(dangling bond)吸附端面上的杂质所造成的。随着发光二极管的尺寸微小化,电子和空穴将会更容易扩散至发光二极管的侧表面上,非辐射复合效应影响则越严重,而导致发光效率降低。
发明内容
一种发光元件,包含一第一发光区域,包含一第一发光单元,用以发出红光;一第二发光区域,包含一第二发光单元,用以发出蓝光;以及一第三发光区域,包含一第三发光单元,用以发出绿光;其中,该第一发光区域大于该第二发光区域与该第三发光区域;且,该第一发光单元、该第二发光单元、以及该第三发光单元的一长与宽都小于100μm。
附图说明
图1为一发光元件的上视图;
图2为本发明一实施例的发光元件的上视图;
图3为本发明另一实施例的发光元件的上视图;
图4A为本发明另一实施例的发光元件的上视图;
图4B为本发明另一实施例的发光元件的上视图;
图5为本发明另一实施例的发光元件的上视图;
图6为本发明另一实施例的发光元件的上视图;
图7A~图7E为本发明一实施例的发光元件制造流程示意图;
图8A~图8B为本发明一实施例的发光单元与支撑体的接合制造步骤的示意图;
图9为本发明一实施例所揭露的一显示模块的示意图;
图10为本发明一实施例所揭露的一显示装置的示意图;
图11为本发明一实施例所揭露的一显示系统的示意图;
图12A为本发明另一实施例的发光元件的上视图;
图12B为本发明另一实施例的发光元件的上视图;
图12C为本发明一实施例所揭露的一显示模块的示意图;
图13为本发明另一实施例的发光元件的上视图;
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