[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910918493.X | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN112563127A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐嘉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上具有鳍部和横跨鳍部的伪栅结构；
在所述衬底上形成介质层，所述介质层的顶部表面与所述伪栅结构的顶部表面齐平；
去除所述伪栅结构，在所述介质层内形成开口；
在所述开口暴露出的所述鳍部的侧壁和顶部上形成栅介质层；
在所述栅介质层上形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成氟离子层。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述氟离子层中氟离子的含量范围为2.0E19 atm/cm3～3.0E21 atm/cm3。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述氟离子层为含有氟离子的金属层或含有氟离子的氧化层。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述氟离子层的工艺为化学气相沉积、物理气相沉积或原子层气相沉积。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述牺牲层上形成所述氟离子层之后，还包括：对形成所述氟离子层之后的衬底进行退火处理。
6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述退火处理的工艺参数包括：温度为850℃～1100℃、退火时间为0～10秒。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述介质层之前，还包括：所述伪栅结构的侧壁上形成侧墙。
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺去除所述伪栅结构。
9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括：氧化硅、氮化硅、碳化硅或碳氧化硅。
10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述牺牲层上形成所述氟离子层之后，还包括：去除所述牺牲层和所述氟离子层。
11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述开口暴露出的所述鳍部的侧壁和顶部上形成所述栅介质层之前，在所述鳍部的侧壁和顶部上形成粘附层。
12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述伪栅结构之前，还包括：在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述鳍部的部分侧壁。
13.一种如权利要求1-12任一所述的形成方法形成的半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
鳍部，位于所述衬底上；
介质层，形成在所述衬底上；
开口，位于所述介质层内且暴露出所述鳍部的侧壁和顶部；
栅介质层，位于所述鳍部的侧壁和顶部上；
牺牲层，位于所述栅介质层上；
氟离子层，位于所述牺牲层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
