[发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201910907145.2 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112635395A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李相遇;崔基雄;金成基 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 杨毅玲;汪飞亚 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于：包括：
提供硅基体，在所述硅基体上形成二氧化硅绝缘层；
于所述二氧化硅绝缘层上形成氮化钛层；
对所述氮化钛层进行快速热氮化处理以将所述氮化钛层转化为氮化钛阻挡层，其中，所述快速热氮化处理包括第一阶段以及第二阶段，所述第一阶段包括向所述氮化钛层通入第一气体，所述第一气体包括氮气和氧气，所述第二阶段包括向所述氮化钛层通入第二气体，所述第二气体包括氨气；以及
于所述氮化钛阻挡层上形成金属导电层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述快速热氮化处理后，所述制备方法还包括：
对所述氮化钛阻挡层进行等离子体氮化处理。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述等离子氮化处理所使用的等离子发生器的功率为1-3kw。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述快速热氮化处理的温度为600-750摄氏度。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述金属导电层的材质为钨。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述金属导电层为以氟化钨为反应气体，通过化学气相沉积工艺形成。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述硅基体为块体硅或硅晶绝缘体。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二阶段以原位方式通入所述第二气体。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述氮化钛阻挡层的厚度为3-5nm，所述二氧化硅绝缘层的厚度为6nm-7nm。
10.一种由权利要求1-9中任一项所述的半导体器件的制备方法制得的半导体器件。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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