[发明专利]封装基板之电阻测量方法及其封装基板

说明书

本发明涉及一种封装基板的电阻测量方法及其封装基板，于电阻测量方法中，将一封装基板的二相对表面分别形成有一金属层，各表面上的金属接垫通过该金属层共同电性连接；接着，再将一测量电源提供予二金属层，一次性测量该封装基板所有金属接垫的加总电阻值；将该封装基板送入一温度测试环境，并再一次性地测量该封装基板所有金属接垫的加总电阻值，计算前后测量的电阻值差值，判断该封装基板是否合格；由于本发明在每次电阻测量步骤中通过金属层一次性测量电阻值，而不必多点测量金属接垫的电阻值，可加速电阻测量速度，且不必另外定制探针座。

技术领域

本发明涉及关于一种封装基板的电阻测量方法，尤指一种封装基板的电阻测量方法及其封装基板。

背景技术

由于封装用基板形成有金属线路、金属接垫及导电孔，经过不同封装制程步骤的高、低温落差变化，常见封装用基板内的金属线路或导电孔与基板塑料本体的接缝处容易裂开，破坏电气特性。

为减少使用电气特性不佳的封装用基板，会对同批生产的基板进行取样的电阻测试，例如传统的R-Shift测量法。如图4所示，一种封装基板50的两相对表面上分别形成有金属线路51、金属接垫52，且两表面的对应金属线路51或金属接垫52分别通过该封装基板50的导电孔53连接。当自整批封装基板中取样数块基板后，在常温下以探针座60测量该封装基板50表面上的各金属接垫52及外露金属线路51的电阻值，再予以计算第一基板电阻值；接着，进入第一道高温设备，再以探针座60测量相同位置，再予以计算第二基板电阻值；接着，进入多温测试机台，以探针座60测量相同位置，再予以计算第三基板电阻值；最后，判断第一至第三基板电阻值之间的电阻变化率，若超出标准电阻变化率，代表受测量的基板的金属线路或导电孔与基板塑料本体的接缝处已有裂开现象。

由于不同封装半导体结构用的基板不同，其间金属线路、金属接垫及导电孔也不相同，使用以上电阻测试方法必须定制不同的探金座，若金属接垫数量多，需多次测量才能获得各金属接垫的电阻值。因此，以上电阻测试方法测量速度低(低产能)，而且各该金属接垫的尺寸小，尚有探针座不易精准对位的问题；故而有需要进一步改良。

发明内容

有鉴于上述封装用基板的电阻测量方法的缺陷，本发明主要发明目的提供一种封装基板的电阻测量方法及其封装基板。

欲达上述目的所使用的主要技术手段是令该封装基板的电阻测量方法使用一封装基板，该封装基板的第一表面包含有多个第一金属接垫，而相对该第一表面的一第二表面包含有多个第二金属接垫，并于该封装基板形成有贯穿该封装基板的多导电孔，以与对应的第一及第二金属接垫连接；其中该电阻测量方法包含以下步骤：

(a)准备一封装基板，该封装基板的第一及第二表面分别形成有一第一金属层及一第二金属层；其中该第一金属层覆盖该第一表面上的多个第一金属接垫，而该第二金属层覆盖该第二表面上的多个第二金属接垫；

(b)于一第一温度环境下，提供一测量电源予该第一及第二金属层，测量一第一基板电阻值；

(c)于一第二温度环境下，提供相同测量电源予该第一及第二金属层，测量一第二基板电阻值；

(d)计算该第一及第二基板电阻值的电阻差值；以及

(e)比较该差电阻差值与一标准电阻差值，若超出该标准电阻差值则代表封装基板不合格。