[发明专利]封装基板之电阻测量方法及其封装基板

权利要求书

1.一种封装基板的电阻测量方法，其特征在于，包括：

(a)准备一封装基板；其中该封装基板的第一及第二表面分别形成有一第一金属层及一第二金属层，该第一金属层覆盖该第一表面上的多个第一金属接垫，而该第二金属层覆盖该第二表面上的多个第二金属接垫；

(b)将该封装基板置于一第一温度环境下，提供一测量电源予该第一及第二金属层，并测量一第一基板电阻值；

(c)将该封装基板置于一第二温度环境下，提供相同测量电源予该第一及第二金属层，并测量一第二基板电阻值；

(d)计算该第一及第二基板电阻值的第一电阻差值；

(e)比较该第一电阻差值与一第一标准电阻差值，若超出该第一标准电阻差值则代表封装基板不合格。

2.如权利要求1所述的封装基板的电阻测量方法，其特征在于，进一步包括：

(f)将该封装基板置于一第三温度环境下，提供相同测量电源予该第一及第二金属层，并测量一第三基板电阻值；

(g)计算该第二及第三基板电阻值的第二电阻差值；以及

(h)比较该第二电阻差值与一第二标准电阻差值，若超出该第二标准电阻差值则代表封装基板不合格。

3.如权利要求2所述的封装基板的电阻测量方法，其特征在于：

于步骤(d)中，依据该第一电阻差值计算第一电阻偏差率；

于步骤(e)中，比较该第一电阻偏差率与一第一标准偏差率，若超出该第一标准偏差率则代表封装基板不合格；

于步骤(g)中，依据该第二电阻差值计算第二电阻偏差率；

于步骤(h)中，比较该第二电阻偏差率与一第二标准偏差率，若超出该第二标准偏差率则代表封装基板不合格。

4.如权利要求1所述的封装基板的电阻测量方法，其特征在于，该测量电源为一电压源，当提供至该第一及第二金属层，经测量电源值后计算出该封装基板的电阻值。

5.如权利要求1所述的封装基板的电阻测量方法，其特征在于，该测量电源为一电流源，当提供至该第一及第二金属层，经测量电压值后计算出该封装基板的电阻值。

6.如权利要求4或5所述的封装基板的电阻测量方法，其特征在于：

该第一温度为室温；以及

该第二温度高于第一温度。

7.如权利要求6所述的封装基板的电阻测量方法，其特征在于，该第二温度环境的温度为红外线回焊炉温度的倍数或焊锡插件工作温度的倍数。

8.如权利要求2所述的封装基板的电阻测量方法，其特征在于，该第三温度环境为多温测试机台，且该第三温度低于或高于该第一温度。

9.一种电阻测量用的封装基板，其特征在于，包括：

一本体，其第一表面包含有多个第一金属接垫，而相对该第一表面的一第二表面包含有多个第二金属接垫，并于该封装基板形成有贯穿该封装基板的多导电孔，以与对应的第一及第二金属接垫连接；

一第一金属层，形成于该本体的第一表面，并覆盖该些第一金属接垫；以及

一第二金属层，形成于该本体的第二表面，并覆盖该些第二金属接垫。

10.如权利要求9所述的封装基板，其特征在于，进一步包括：

多条金属线路，形成于该第一表面上；

一第一绝缘层，形成于该第一表面上，覆盖部分金属线路；以及

一第二绝缘层，形成于该第二表面上，覆盖该些第二金属接垫的部分。