[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

说明书

选择性地形成第一介电层，从而使得第一介电层形成在第一类型晶体管的源极/漏极区域上方，但不形成在第二类型晶体管的源极/漏极区域上方。第一类型晶体管和第二类型晶体管具有不同类型的导电性。选择性地形成第一硅化物层，从而使得第一硅化物层形成在第二类型晶体管的源极/漏极区域上方，但不形成在第一类型晶体管的源极/漏极区域上方。去除第一介电层。在第一类型晶体管的源极/漏极区域上方形成第二硅化物层。本发明的实施例还涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。

背景技术

半导体工业在追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本的过程 中进入纳米技术工艺节点。随着这种发展，来自制造和设计问题的挑战导 致诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的三维设计的发展。典型的FinFET 器件制造有从衬底延伸的薄“鳍”(或鳍式结构)。鳍通常包括硅并且形 成晶体管器件的主体。晶体管的沟道形成在该垂直鳍中。在鳍上方提供(例 如包裹)栅极。这种类型的栅极允许更好地控制沟道。FinFET器件的其它 优势包括减少短沟道效应和更高的电流。

然而，传统的FinFET器件仍可能具有某些缺点。例如，FinFET器件 使用硅化物来为接触件提供降低的电阻率。一些传统的FinFET器件对 NFET和PFET使用相同的硅化物材料，这不会优化器件性能。其它传统的 FinFET器件采用额外的掩模和相关的附加制造步骤，以形成用于NFET和 PFET的不同硅化物材料。使用额外的掩模并且必须经历额外的制造步骤在 FinFET制造中引入额外的复杂性和成本，这也是不期望的。

因此，虽然现有的FinFET器件对于它们的预期目的通常已经足够，但 是它们不是在所有方面都已完全令人满意。

发明内容

本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：选择性地 形成第一介电层，从而使得所述第一介电层形成在第一类型晶体管的源极/ 漏极区域上方，但不形成在第二类型晶体管的源极/漏极区域上方，其中， 所述第一类型晶体管和所述第二类型晶体管具有不同类型的导电性；选择 性地形成第一硅化物层，从而使得所述第一硅化物层形成在所述第二类型 晶体管的源极/漏极区域上方，但不形成在所述第一类型晶体管的源极/漏极 区域上方；去除所述第一介电层；以及在所述第一类型晶体管的源极/漏极 区域上方形成第二硅化物层。

本发明的另一实施例提供了一种半导体器件，包括：NFET，包括：第 一源极/漏极区域；第一硅化物层，设置在所述第一源极/漏极区域上方，所 述第一硅化物层具有第一功函数；以及第一导电接触件，设置在所述第一 硅化物层上方；以及PFET，包括：第二源极/漏极区域；第二硅化物层， 设置在所述第二源极/漏极区域上方，所述第二硅化物层具有高于所述第一 功函数的第二功函数；以及第二导电接触件，设置在所述第二硅化物层上 方；其中，所述第一硅化物层具有比所述第二硅化物层更高的位置。

本发明的又一实施例提供了一种半导体器件，包括：NFET，包括：第 一源极/漏极区域；第一硅化物层，设置在所述第一源极/漏极区域上方，所 述第一硅化物层具有第一功函数；第一介电层，设置在所述第一硅化物层 上方；以及第一导电接触件，设置在所述第一介电层上方；以及PFET，包 括：第二源极/漏极区域；第二硅化物层，设置在所述第二源极/漏极区域上 方，所述第二硅化物层具有大于所述第一功函数的第二功函数；导电层， 设置在所述第二硅化物层上方；第二介电层，设置在所述导电层上方；以 及第二导电接触件，设置在所述第二介电层上方。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方 面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上， 为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。还应强调，所 附附图仅示出了本发明的典型实施例，因此不应视为限制范围，对于本发 明可以同样适用于其它实施例。

图1是示例性FinFET器件的立体图。