[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法有效
| 申请号: | 201910872906.5 | 申请日: | 2015-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN110649053B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
| 发明(设计)人: | 山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0203 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 改善 切割 性能 图像传感器 制造 装置 方法 | ||
1.一种芯片,包括:
包括微透镜层、滤色层和光电二极管层的第一层;
包括配线层、支撑基板和硅通孔的第二层;
经由粘合剂层粘合到所述微透镜层上的盖玻璃;
用于与外部电路连接的连接端子,所述连接端子形成在所述第二层的下部;和
形成在所述芯片的端部的侧壁保护部,其中,所述侧壁保护部覆盖所述粘合剂层的侧壁、所述第一层的侧壁和所述第二层的侧壁;
其中所述盖玻璃、所述粘合剂层、所述第一层和所述第二层从顶部顺序叠置。
2.如权利要求1所述的芯片,还包括配置在所述侧壁保护部中的阻焊层。
3.如权利要求2所述的芯片,其中所述硅通孔包括用于打开所述配线层的配线部分的通孔。
4.如权利要求1所述的芯片,其中所述连接端子是焊料球。
5.如权利要求1所述的芯片,其中所述第一层包括用于将所述第一层和所述第二层的信号线和电源线电连接的CIS通孔。
6.如权利要求1所述的芯片,其中所述第一层和所述第二层的信号线和电源线通过所述硅通孔电连接。
7.如权利要求1所述的芯片,其中所述侧壁保护部形成为贯通所述粘合剂层、所述第一层和所述第二层。
8.如权利要求1所述的芯片,其中所述侧壁保护部的外部由配线形成。
9.如权利要求1所述的芯片,其中所述侧壁保护部被成形为在中间具有狭窄部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





