[发明专利]竖直存储器装置

说明书

竖直存储器装置包括具有单元阵列区域和围绕单元阵列区域的阶梯区域的衬底、位于单元阵列区域和阶梯区域上的栅电极、以及位于单元阵列区域上的沟道。栅电极在第一方向和第三方向上彼此隔离开并且各自在第二方向上延伸。沟道在第一方向上延伸穿过一个或更多个栅电极。多个栅电极中的第一栅电极在第二方向上的端部限定衬底的阶梯区域上的第二方向上的第一台阶和第三方向上的第二台阶，各第二台阶分别与相同水平高度处的各第一台阶连接。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月20日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2018-0165825的优先权，其内容通过引用整体地并入本文。

技术领域

本发明构思涉及竖直存储器装置。更具体地，本发明构思涉及具有以阶梯结构堆叠的栅电极的竖直存储器装置。

背景技术

当制造VNAND闪速存储器装置时，交替并重复地堆叠牺牲层和绝缘层，各个牺牲层被图案化以在其中形成有与上布线连接的接触插塞的阶梯区域中形成一些台阶，并且可以使用部分地覆盖台阶的光刻胶图案来执行蚀刻处理，从而形成具有阶梯结构的模制件。随着包括在模制件中的台阶的数量增多，模制件的区域可能增大，使得VNAND闪速存储器装置的集成度可能降低。

发明内容

示例实施例提供了一种具有良好特性的竖直存储器装置。

根据一些示例实施例，竖直存储器装置可包括衬底，衬底包括单元阵列区域和围绕单元阵列区域的阶梯区域。竖直存储器装置可包括位于衬底的单元阵列区域和阶梯区域上的多个栅电极。所述多个栅电极可在第一方向上隔离开以免彼此直接接触。所述多个栅电极中的每个栅电极可在第二方向上延伸。所述多个栅电极可在第三方向上进一步隔离开以免彼此直接接触。第一方向可实质上垂直于衬底的上表面。第三方向可实质上平行于衬底的上表面。第二方向可实质上平行于衬底的上表面，并且实质上垂直于第三方向。竖直存储器装置可包括位于衬底的单元阵列区域上的沟道。沟道可在第一方向上延伸穿过所述多个栅电极中的一个或更多个栅电极。所述多个栅电极中的第一栅电极在第二方向上的端部限定衬底的阶梯区域上的第二方向上的第一台阶和第三方向上的第二台阶，第二台阶分别与相同水平高度处的第一台阶连接。

根据一些示例实施例，竖直存储器装置可包括衬底，衬底包括单元阵列区域和围绕单元阵列区域的阶梯区域。竖直存储器装置可包括位于衬底的单元阵列区域和阶梯区域上的多个栅电极。所述多个栅电极可在第一方向上隔离开以免彼此直接接触。所述多个栅电极中的每个栅电极可在第二方向上延伸。所述多个栅电极可在第三方向上进一步隔离开以免彼此直接接触。第一方向可实质上垂直于衬底的上表面。第三方向可实质上平行于衬底的上表面。第二方向可实质上平行于衬底的上表面，并且实质上垂直于第三方向。竖直存储器装置可包括位于衬底的单元阵列区域上的沟道。沟道可在第一方向上延伸穿过所述多个栅电极中的一个或更多个栅电极。各栅电极中的第一栅电极在第二方向上的端部可限定衬底的阶梯区域上的第二方向上的第一台阶。所述多个栅电极中的高于第一栅电极的第二栅电极在第二方向上的端部可限定衬底的阶梯区域上的第二方向和/或第三方向上的第二台阶。第一台阶可在第一方向上与第二台阶重叠。

根据一些示例实施例，竖直存储器装置可包括衬底，衬底包括单元阵列区域和围绕单元阵列区域的阶梯区域。竖直存储器装置可包括位于衬底的单元阵列区域和阶梯区域上的多个栅电极。所述多个栅电极可在第一方向上隔离开以免彼此直接接触。所述多个栅电极中的每个栅电极可在第二方向上延伸。所述多个栅电极可在第三方向上进一步隔离开以免彼此直接接触。第一方向可实质上垂直于衬底的上表面。第三方向可实质上平行于衬底的上表面。第二方向可实质上平行于衬底的上表面，并且实质上垂直于第三方向。竖直存储器装置可包括位于衬底的单元阵列区域上的沟道。沟道可在第一方向上延伸穿过所述多个栅电极中的一个或更多个栅电极。所述多个栅电极中的第一栅电极在第二方向上的端部可限定在平面图中各自具有“L”形状的第一台阶。