[发明专利]锍化合物、正型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法有效

专利信息
申请号: 201910836697.9 申请日: 2019-09-05
公开(公告)号: CN110878038B 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 井上直也;大桥正树;土门大将;增永惠一;小竹正晃 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: C07C381/12 分类号: C07C381/12;G03F7/039;G03F7/004
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 何杨
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 化合物 正型抗蚀剂 组合 抗蚀剂 图案 形成 方法
【权利要求书】:

1.具有式(A)的锍化合物:

其中,R1、R2、R3和R4各自独立地为可以含有杂原子的C1-C20一价烃基,p和q各自独立地为0至5的整数,r为0至4的整数,在p=2至5的情况下,两个相邻的基团R1可以键合在一起以与它们所连接的碳原子形成环,在q=2至5的情况下,两个相邻的基团R2可以键合在一起以与它们所连接的碳原子形成环,在r=2至4的情况下,两个相邻的基团R3可以键合在一起以与它们所连接的碳原子形成环。

2.正型抗蚀剂组合物,其包含(A)含有根据权利要求1所述的锍化合物的猝灭剂。

3.根据权利要求2所述的正型抗蚀剂组合物,其另外包含(B)含有适于在酸的作用下分解以增加其在碱性显影剂中的溶解度的聚合物的基础聚合物。

4.根据权利要求3所述的正型抗蚀剂组合物,其中所述聚合物包含选自具有式(B1)至(B3)的重复单元的至少一种类型的重复单元:

其中,RA为氢、氟、甲基或三氟甲基,

R11各自独立地为卤素、任选卤化的C2-C8酰氧基、任选卤化的C1-C6烷基或任选卤化的C1-C6烷氧基,

R12和R13各自独立地为卤素、乙酰氧基、任选卤化的C2-C8酰氧基、任选卤化的C1-C8烷基、任选卤化的C1-C8烷氧基或任选卤化的C2-C8烷基羰基氧基,

A1为单键或C1-C10烷烃二基,其中醚键可以插入碳-碳键中,t1为0或1,x1为0至2的整数,a1为满足0≤a1≤5+2x1-a2的整数,a2为1至3的整数,b1为0至5的整数,b2为1至3的整数,满足1≤b1+b2≤6,c1为0至3的整数,c2为1至3的整数,满足1≤c1+c2≤4。

5.根据权利要求3所述的正型抗蚀剂组合物,其中所述聚合物另外包含具有式(B4)的重复单元:

其中,RA为氢、氟、甲基或三氟甲基,

R14各自独立地为卤素、任选卤化的C2-C8酰氧基、任选卤化的C1-C6烷基或任选卤化的C1-C6烷氧基,

A2为单键或C1-C10烷烃二基,其中醚键可以插入碳-碳键中,t2为0或1,x2为0至2的整数,d1为满足:0≤d1≤5+2x2-d3的整数,d2为0或1,d3为1至3的整数,在d3=1的情况下,X为酸不稳定性基团,和在d3=2或3的情况下,X各自独立地为氢或酸不稳定性基团,至少一个X为酸不稳定性基团。

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