[发明专利]包括存储器平面的非易失性存储器装置和存储器系统

说明书

提供一种非易失性存储器装置、存储器系统和垂直NAND快闪存储器装置，所述非易失性存储器装置可以包括多个存储器平面和多个平面专用焊盘组。多个存储器平面可以包括具有非易失性存储器单元的多个存储器单元阵列和多个页缓冲器电路。多个页缓冲器电路中的每一个可以通过位线连接到多个存储器单元阵列中的每一个中包括的各非易失性存储器单元中的非易失性存储器单元。多个平面专用焊盘组可以通过多个数据路径分别连接到多个页缓冲器电路，使得多个平面专用焊盘组中的每一个专用地连接到多个页缓冲器电路中的每一个。可以通过减少数据传输延迟并支持并行数据传输来增加数据传输的带宽，并且可以通过去除数据多路复用和/或信号路由来降低功耗。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年11月28日提交给韩国知识产权局(KIPO)的韩国专利申请No.10-2018-0150016的优先权，其公开内容通过引用其整体并入本文。

技术领域

本公开的各方面一般涉及一种半导体集成电路，并且更具体地，涉及一种包括存储器平面的非易失性存储器装置和包括这种非易失性存储器装置的存储器系统。

背景技术

用于存储数据的半导体存储器装置可以分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。诸如动态随机存取存储器(DRAM)装置的易失性存储器装置通常被配置为通过对存储器单元中的电容器充电或放电来存储数据，并且可以在电源被关闭、移除或禁用时丢失所存储的数据。诸如快闪存储器装置的非易失性存储器装置即使在电源被关闭、移除或禁用时，也可以保持所存储的数据。易失性存储器装置广泛用作各种设备的主存储器，非易失性存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如计算机、移动装置等)中存储程序代码和/或数据。

最近，已经开发了具有三维结构的非易失性存储器装置(诸如垂直NAND存储器装置)，以增加非易失性存储器装置的集成度和/或存储容量。随着集成度和存储容量的增加，还希望增加非易失性存储器装置的数据传输速度。

发明内容

实施例的一些示例可以提供适合于多平面结构的非易失性存储器装置。

实施例的一些示例可以提供包括适用于多平面结构的非易失性存储器装置的存储器系统。

根据实施例的一些示例，非易失性存储器装置包括多个存储器平面和多个平面专用焊盘组。多个存储器平面包括多个页缓冲器电路和包括非易失性存储器单元的多个存储器单元阵列。多个页缓冲器电路中的每一个通过位线连接到多个存储器单元阵列中的每一个中包括的各个非易失性存储器单元中的非易失性存储器单元。多个平面专用焊盘组通过多个数据路径连接到多个页缓冲器电路，使得多个平面专用焊盘组中的每一个连接到多个页缓冲器电路中相应的页缓冲器电路。

根据实施例的一些示例，存储器系统包括非易失性存储器装置和被配置为控制非易失性存储器装置的操作的存储器控制器。该非易失性存储器装置包括：多个存储器平面，其包括多个页缓冲器电路；以及多个存储器单元阵列，其包括非易失性存储器单元，其中多个页缓冲器电路中的每一个通过位线连接到多个存储器单元阵列中的每个中包括的非易失性存储器单元中。多个平面专用焊盘组通过多个数据路径分别连接到多个页缓冲器电路，使得多个平面专用焊盘组中的每一个专用地连接到多个页缓冲器电路中相应的页缓冲器电路。

根据实施例的一些示例，垂直NAND快闪存储器装置包括：多个存储器平面，其包括多个页缓冲器电路；以及多个存储器单元阵列，其包括在垂直方向上堆叠以形成单元串的快闪存储器单元，其中，多个页缓冲器电路中的每一个通过位线连接到多个存储器单元阵列中的每一个中包括的单元串。多个平面专用焊盘组通过多个数据路径分别连接到多个页缓冲器电路，使得多个平面专用焊盘组中的每一个专用地连接到多个页缓冲器电路中相应的页缓冲器电路。

根据实施例的一些示例的非易失性存储器装置和存储器系统可以通过减少数据传输延迟、以及通过被分别分配给多个存储器平面的多个平面专用焊盘组支持并行数据传输，来增加数据传输的带宽。