[发明专利]包括存储器平面的非易失性存储器装置和存储器系统在审
| 申请号: | 201910822535.X | 申请日: | 2019-09-02 |
| 公开(公告)号: | CN111243641A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
| 发明(设计)人: | 金贤真;刘忠昊;李镕圭;郑宰镛 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04;H01L27/11524;H01L27/1157 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张帆 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包括 存储器 平面 非易失性存储器 装置 系统 | ||
1.一种非易失性存储器装置,包括:
多个存储器平面,其包括多个页缓冲器电路和包括非易失性存储器单元的多个存储器单元阵列,其中所述多个页缓冲器电路中的每一个通过位线连接至所述多个存储器单元阵列中的相应的存储器单元阵列中包括的所述非易失性存储器单元中的一个;以及
多个平面专用焊盘组,其通过多个数据路径连接到所述多个页缓冲器电路,使得所述多个平面专用焊盘组中的每一个连接到所述多个页缓冲器电路中的相应的页缓冲器电路。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,所述多个平面专用焊盘组中的每一个包括:
多个数据焊盘,其专用地连接至所述多个页缓冲器电路中的相应的页缓冲器电路,并且被配置为从存储器控制器接收写入数据以将所述写入数据提供至所述多个页缓冲器电路中的所述相应的页缓冲器电路,并且被配置为从所述多个页缓冲器电路中的所述相应的页缓冲器电路接收读取数据以将所述读取数据提供至所述存储器控制器。
3.根据权利要求2所述的非易失性存储器装置,其中,所述多个平面专用焊盘组被配置为从所述存储器控制器同时接收与所述多个存储器平面相对应的写入数据,并将与所述多个存储器平面相对应的写入数据分别提供至所述多个页缓冲器电路,以及
其中,所述多个平面专用焊盘组被配置为分别从所述多个页缓冲器电路同时接收与所述多个存储器平面相对应的读取数据,并将与所述多个存储器平面相对应的读取数据提供至所述存储器控制器。
4.根据权利要求2所述的非易失性存储器装置,其中,所述多个平面专用焊盘组中的第一平面专用焊盘组中包括的数据焊盘与相应的页缓冲器电路之间的数据路径中不包括多路复用器。
5.根据权利要求2所述的非易失性存储器装置,其中,所述非易失性存储器装置被配置为通过所述多个平面专用焊盘组中的至少一个中包括的多个数据焊盘中的数据焊盘从所述存储器控制器接收命令和地址。
6.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置,其中,所述命令和所述地址对应于所述多个存储器平面中的第一存储器平面,并且其中,所述非易失性存储器装置被配置为:通过与所述第一存储器平面的页缓冲器电路连接的平面专用焊盘组,接收与所述第一存储器平面对应的所述命令和所述地址。
7.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置,其中,所述非易失性存储器装置被配置为:经由所述多个平面专用焊盘组的一部分从所述存储器控制器接收所述命令和所述地址,以执行关于所述多个存储器平面中的与所述多个平面专用焊盘组的所述一部分相对应的一部分存储器平面的读取操作或写入操作。
8.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置,其中,所述非易失性存储器装置被配置为经由所述多个平面专用焊盘组中的第一平面专用焊盘组接收用于读取操作或写入操作的起始地址,并且被配置为通过所述多个平面专用焊盘组中的第二平面专用焊盘组接收用于所述读取操作或所述写入操作的结束地址。
9.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置,其中,所述非易失性存储器装置被配置为经由所述多个平面专用焊盘组中的第一平面专用焊盘组接收所述写入数据或输出所述读取数据,并且被配置为通过所述多个平面专用焊盘组中的第二平面专用焊盘组接收或输出指示所述非易失性存储器装置的操作条件的特征信息。
10.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置,其中,所述非易失性存储器装置被配置为执行关于所述多个存储器平面中的分别与所述多个平面专用焊盘组的第一部分相对应的第一部分存储器平面的读取操作,同时所述非易失性存储器装置被配置为执行关于所述多个存储器平面中的分别与所述多个平面专用焊盘组的第二部分相对应的第二部分存储器平面的写入操作。
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