[发明专利]一种基于相变材料的显示器件

权利要求书

1.一种基于相变材料的显示器件，其特征在于，包括从下至上依次设置的量子点发光组件、隔离层和滤波组件，其中，

所述量子点发光组件包括第一波长发光组件和量子点薄膜，所述量子点薄膜设置在所述第一波长发光组件上，所述第一波长发光组件发出的第一波长的光激励所述量子点薄膜发出与该第一波长不相等的波长的单色光；

所述隔离层设置在所述量子点薄膜上；

所述滤波组件包括从下至上依次设置的导电层、相变材料层和覆盖层，所述导电层设置在所述隔离层上，其中，所述导电层和覆盖层分别作为相变材料层的上、下电极，以用于在相变材料层上施加电压使所述相变材料层在非晶态和晶态之间相互转化，通过所述相变材料层在非晶态和晶态之间相互转化时透射率变化来实现对量子点薄膜发出的单色光强度的调节，进而实现色彩的显示。

2.根据权利要求1所述的一种基于相变材料的显示器件，其特征在于，所述量子点薄膜设置有多个，并且第一波长发光组件发出的单色光穿过所有的这些量子点薄膜从而激励各量子点薄膜分别发出设定波长的单色光，所述第一波长发光组件发出的单色光为蓝光或紫光，有的量子点薄膜受激励后发出的单色光为红光，其它的量子点薄膜受激励后发出的单色光为绿光。

3.根据权利要求2所述的一种基于相变材料的显示器件，其特征在于，各量子点薄膜由相同的材料形成并且具有不同的量子点尺寸，所述量子点薄膜的材料选自CdSe、CdS、CdTe、ZnS、ZnSe、CuInS、ZnCuInS中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的一种基于相变材料的显示器件，其特征在于，所述相变材料层在晶态和非晶态之间相互转化时，其折射率n和消光系数k也随着变化。

5.根据权利要求1所述的一种基于相变材料的显示器件，其特征在于，所述隔离层的材料可以是SiO₂、HfO、Al₂O₃、ZnO、In₂O₃、TiO₂、Si₃N₄或MgF₂，隔离层的厚度为100nm-1000nm。

6.根据权利要求1所述的一种基于相变材料的显示器件，其特征在于，所述相变材料层的相变材料为GeTe、SbTe、BiTe、InSb、InSe、GeSb、SbSe、GaSb、GaSb、GeSbTe、AgInSbTe、InSbTe或AgSbTe。

7.根据权利要求1所述的一种基于相变材料的显示器件，其特征在于，所述相变材料层的厚度小于100nm。

8.一种基于相变材料的显示器件，其特征在于，包括从下至上依次设置的量子点发光组件、隔离层、折射层和滤波组件，其中，

所述量子点发光组件包括第一波长发光组件和量子点薄膜，所述量子点薄膜设置在所述第一波长发光组件上，所述第一波长发光组件发出的第一波长的光激励所述量子点薄膜发出与该第一波长不相等的波长的单色光；

所述隔离层设置在所述量子点薄膜上，所述折射层设置在所述隔离层上

所述滤波组件包括从下至上依次设置的导电层、相变材料层和覆盖层，所述导电层设置在所述折射层上，所述导电层和覆盖层分别作为相变材料层的上、下电极，以用于在相变材料层上施加电压，通过所述相变材料层在非晶态和晶态之间相互转化时透射率变化来实现对量子点薄膜发出的单色光强度的调节，进而实现色彩的显示。

9.根据权利要求8所述的一种基于相变材料的显示器件，其特征在于，所述折射层的材料选自TiO₂、SiO₂、HfO₂、Al₂O₃、ZnO、In₂O₃、SiN、MgF₂中的一种或多种。

10.一种基于相变材料的显示器件，其特征在于，包括从下至上依次设置的量子点发光组件、隔离层和滤波组件，其中，

所述量子点发光组件包括第一波长发光组件和量子点薄膜，所述量子点薄膜设置在所述第一波长发光组件上，所述第一波长发光组件发出的第一波长的光激励所述量子点薄膜发出与该第一波长不相等的波长的单色光；

所述隔离层设置在所述量子点薄膜上；

所述滤波组件包括相变材料层，所述相变材料层设置在所述隔离层上，通过在相变材料层上照射激光使所述相变材料层在非晶态和晶态之间相互转化，并通过所述相变材料层在非晶态和晶态之间相互转化时透射率变化来实现对量子点薄膜发出的单色光强度的调节，进而实现色彩的显示。