[发明专利]二氧化钛纳米薄膜制备方法及二氧化钛纳米薄膜

权利要求书

1.一种二氧化钛纳米薄膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、提供惰性气体；

S2、提供惰性气体的等离子体火炬；

S3、向惰性气体的等离子体火炬的内部通入含有氧气的反应气体，产生含有反应气体的等离子体火炬；

S4、通过含有反应气体的等离子体火炬作用样品表面。

2.根据权利要求1所述的二氧化钛纳米薄膜制备方法，其特征在于，由内至外依次设置第一气体层、第二气体层、第三气体层，所述第一气体层、所述第二气体层以及所述第三气体层三者的末端相连通；其中，所述惰性气体通过所述第二气体层与所述第三气体层通入，所述反应气体通过所述第一气体层通入。

3.根据权利要求2所述的二氧化钛纳米薄膜制备方法，其特征在于，所述第二气体层的气体流速大于所述第三气体层的气体流速，所述第三气体层的气体流速大于所述第一气体层的气体流速。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的二氧化钛纳米薄膜制备方法，其特征在于，S2中，通过电感耦合或电容耦合对惰性气体进行作用。

5.根据权利要求4所述的二氧化钛纳米薄膜制备方法，其特征在于，在样品的上方设置电场，使耦合产生的等离子体在电场的作用下向样品方向运动。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的二氧化钛纳米薄膜制备方法，其特征在于，在S4之前，对样品进行预处理，预处理过程为：先打磨样品表面，至样品表面光滑，然后用无水乙醇超声清洗，最后在惰性气氛下将样品风干。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的二氧化钛纳米薄膜制备方法，其特征在于，在S4中，设置移动装置，通过移动装置带动样品与含有反应气体的等离子火炬产生相对移动，以使含有反应气体的等离子体火炬扫描样品的表面。

8.根据权利要求7所述的二氧化钛纳米薄膜制备方法，其特征在于，所述移动装置为三轴数控平台。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的二氧化钛纳米薄膜制备方法，其特征在于，S4中，将样品安装在陶瓷垫层上。

10.一种二氧化钛纳米薄膜，其特征在于，通过如权利要求1至9中任一项所述的二氧化钛纳米薄膜制备方法制得。