[发明专利]一种半导体激光器封装结构及封装方法

说明书

本发明涉及一种半导体激光器封装结构及封装方法，该封装结构包括安装有管脚的管座，所述管座上的凸台上前、后设置有第一热沉和第二热沉，所述第一热沉和第二热沉上分别设置有第一激光器芯片LD1和第二激光器芯片LD2，用于发出激光的LD1芯片和用于接收激光的LD2芯片封装在同一平面上，且所述LD1芯片与LD2芯片的出光脊条在一定空间范围内同轴。该封装结构及封装方法结构简单，易于实现，生产成本低。

技术领域

本发明涉及半导体激光器封装技术领域，具体涉及一种半导体激光器封装结构及封装方法。

背景技术

半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器，由于它的波长范围宽，制作简单，成本低，易于大量生产，且体积小，重量轻，寿命长，因此，品种发展快，应用范围广，已超过300种。半导体激光器的最主要应用领域是Gb局域网，850nm波长的半导体激光器适用于1Gb局域网，1260nm -1650nm波长的半导体激光器适用于10Gb局域网系统。半导体激光器的应用范围覆盖了整个光电子学领域，其自问世以来就得到了世界各国的广泛关注与研究，成为世界上发展最快、应用最广泛、最早走出实验室实现商用化且产值最大的一类激光器，成为了当今光电子科学的核心技术。

中国光通信器件市场的发展早已进入黄金期，对于光模块的核心器件半导体激光器，每年的需求量将达到千万甚至上亿只，市场前景乐观，容量巨大，而这些器件的制作过程，必然需要经过封装工艺的加工制作。常规带监控电流的TO封装的一般流程如下：1、先在PD固晶机上银浆固晶PD垫块于TO管座上，然后在另一台PD固晶机上银浆固晶PD芯片于PD垫块上，送烘烤固化，完成PD工序的封装；2、在LD共晶机上共晶LD热沉及LD芯片；3、将如上做好的产品送打线及封帽，至此完成TO的简短封装。在此封装过程中，一个LD激光器芯片搭配一个PD光电二极管进行组合封装。其中，LD激光器芯片前光用于激光传输，背光面则由PD光电二极管负责接收激光，并产生相应的电流，从而间接监控LD激光器的前光输出功率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体激光器封装结构及封装方法，该封装结构及封装方法结构简单，易于实现，生产成本低。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种半导体激光器封装结构，包括安装有管脚的管座，所述管座上的凸台上前、后设置有第一热沉和第二热沉，所述第一热沉和第二热沉上分别设置有第一激光器芯片LD1和第二激光器芯片LD2，用于发出激光的LD1芯片和用于接收激光的LD2芯片封装在同一平面上，且所述LD1芯片与LD2芯片的出光脊条在一定空间范围内同轴。

进一步地，所述LD2芯片的正极连接第三管脚，所述LD2芯片的负极连接第二管脚，所述LD1芯片的正极连接第二管脚，所述LD1芯片的负极连接第四管脚。

进一步地，所述LD1芯片与LD2芯片的出光脊条的同轴度误差不大于±40um。

本发明还提供一种半导体激光器封装方法，包括以下步骤：

步骤1）在管座上的凸台上的设定位置共晶第一热沉和第一激光器芯片LD1；

步骤2）在凸台上第一热沉和LD1芯片前的设定位置共晶第二热沉和第二激光器芯片LD2，并保证LD1芯片与LD2芯片的出光脊条在一定空间范围内同轴；

步骤3）进行打线，将LD2芯片的正极打在第三管脚上，将LD2芯片的负极打在第二管脚上，LD1芯片按常规方式打线，即将LD1芯片的正极打在第二管脚上，将LD1芯片的负极打在第四管脚上。

进一步地，通过减小LD1芯片与LD2芯片的同轴度误差和间距，增大背光电流，以满足监控需求。