[发明专利]功率半导体器件及其制作工艺

权利要求书

1.一种功率半导体器件的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底的正面形成一层外延层并完成功率半导体器件正面结构的制作；

对所述衬底的背面进行刻蚀，刻蚀穿整个衬底，直至外延层，形成引线孔；

在所述引线孔里填充金属并在所述衬底背面垫积形成背面金属层，并退火合金，将所述外延层通过金属引线到背面金属层。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的制作工艺，其特征在于，还包括：在对所述衬底的背面进行刻蚀之前，对所述衬底的背面进行清洗，清洗掉所述衬底背面的沾污和多余的膜层。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件的制作工艺，其特征在于，还包括：对所述衬底的背面进行刻蚀之前，在所述功率半导体器件的正面贴上保护膜，并在刻蚀形成所述引线孔后去除所述保护膜。

4.根据权利要求3所述的功率半导体器件的制作工艺，其特征在于，所述保护膜为蓝膜、UV膜、白膜或干膜。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件的制作工艺，其特征在于，形成所述引线孔的方法包括：

在所述衬底的背面涂覆光刻胶；

通过光刻工艺去除所述引线孔位置的光刻胶形成窗口，露出衬底；

通过刻蚀方法去除光刻胶没有覆盖区域的衬底，形成所述引线孔；

在对所述衬底刻蚀完成后，去除剩余的光刻胶。

6.根据权利要求1所述的功率半导体器件的制作工艺，其特征在于，形成所述引线孔的刻蚀工艺为干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

7.根据权利要求1所述的功率半导体器件的制作工艺，其特征在于，所述衬底包括SiC衬底、Si衬底、蓝宝石衬底和GaN衬底中的一种。

8.根据权利要求1所述的功率半导体器件的制作工艺，其特征在于，还包括：将所述外延层通过金属引线到背面金属层后，通过封装工艺完成所述功率半导体器件的制备。

9.一种功率半导体器件，其特征在于，包括由下至上依次层叠的背面金属层(1)、衬底(2)、外延层(3)和正面结构(4)，所述背面金属层(1)通过设置于所述衬底(2)内的金属(5)与所述外延层(3)连接。

10.根据权利要求9所述的功率半导体器件，其特征在于，所述衬底(2)内形成有贯穿的引线孔(6)，用于连接所述背面金属层(1)和所述外延层(3)的金属(5)填充于所述引线孔(6)内。

11.根据权利要求9所述的功率半导体器件，其特征在于，所述正面结构(4)包括源极、漏极、栅极、氧化层、场板和钝化层中的至少一种。