[发明专利]使用多个雪崩光电二极管元件检测光有效

专利信息
申请号: 201910760185.9 申请日: 2019-08-16
公开(公告)号: CN110888117B 公开(公告)日: 2022-11-15
发明(设计)人: 萨沙·施泰因科格勒;马丁·马拉;克劳斯·克莱门斯 申请(专利权)人: 西克股份公司
主分类号: G01S7/481 分类号: G01S7/481;G01S7/486;G01S7/4865;G01J1/42;G01J1/44
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 张瑞;杨明钊
地址: 德国瓦*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 雪崩 光电二极管 元件 检测
【权利要求书】:

1.一种光接收器(22),具有多个雪崩光电二极管元件(24),所述雪崩光电二极管元件各自能够在高于击穿电压的偏置电压下进行偏置并且因此能够在盖革模式下运行,其中所述雪崩光电二极管元件(24)形成多个组,并且所述光接收器具有控制单元(30),以改变相应组的雪崩光电二极管元件(24)的灵敏度,

其特征在于,

所述控制单元(30)被设计成分别在分配给一组雪崩光电二极管元件的至少一个时间点改变所述一组雪崩光电二极管元件中的雪崩光电二极管元件(24)的灵敏度,其中不同的时间点被分配给这些组;

其中,所述时间点定义每组雪崩光电二极管元件的至少一个适应时间窗口,在所述适应时间窗口的起始处,所述控制单元(30)将所述雪崩光电二极管元件(24)设置到分配给该组雪崩光电二极管元件的灵敏度,并且在所述适应时间窗口的结束处,所述控制单元(30)将所述雪崩光电二极管元件(24)设置到先前的灵敏度;

来自两个不同的组的每两个雪崩光电二极管元件形成至少双雪崩光电二极管(124),所述双雪崩光电二极管具有至少一个前雪崩光电二极管元件(24a)和至少一个后雪崩光电二极管元件(24b),其中所述前雪崩光电二极管元件(24a)的雪崩击穿改变所述后雪崩光电二极管元件(24b)的灵敏度,或反之亦然。

2.根据权利要求1所述的光接收器(22),其中,所述控制单元(30)被设计成通过升高所述偏置电压以高于所述击穿电压来激活雪崩光电二极管元件(24)和/或通过降低所述偏置电压以低于所述击穿电压来去激活雪崩光电二极管元件(24)。

3.根据权利要求1或2所述的光接收器(22),其中,所述控制单元(30)被设计成通过分配给所述一组雪崩光电二极管元件的、高于所述击穿电压的过电压来改变灵敏度。

4.根据权利要求1或2所述的光接收器(22),其中,设置了光飞行时间测量单元(28),所述光飞行时间测量单元被设计成根据所述雪崩光电二极管元件(24)的信号确定光脉冲的光飞行时间。

5.根据权利要求1或2所述的光接收器(22),其中,不同组的时间点被分布在事件时间窗口上。

6.根据权利要求5所述的光接收器(22),其中,所述事件时间窗口具有与光脉冲相对应的持续时间。

7.根据权利要求1或2所述的光接收器(22),其中,所述时间点被分布成使得一组雪崩光电二极管元件(24)与另一组雪崩光电二极管元件(24)各自交替为灵敏的。

8.根据权利要求7所述的光接收器(22),其中,一组雪崩光电二极管元件(24)与另一组雪崩光电二极管元件(24)以周期性的重复而各自交替为灵敏的。

9.根据权利要求1或2所述的光接收器(22),其中所述雪崩光电二极管元件(24)形成矩阵布置,并且其中在将所述矩阵布置划分成由栅格元件(32)组成的栅格时,每个组在每个栅格元件(32)中具有至少一个雪崩光电二极管元件(24)。

10.根据权利要求1或2所述的光接收器(22),其中,两组雪崩光电二极管元件(24)形成棋盘图案。

11.根据权利要求1或2所述的光接收器(22),其中,所述前雪崩光电二极管元件(24a)的雪崩击穿改变所述后雪崩光电二极管元件(24b)的灵敏度,是通过所述雪崩击穿引起所述后雪崩光电二极管元件(24b)上的偏置电压改变来改变所述后雪崩光电二极管元件(24b)的灵敏度,或反之亦然。

12.根据权利要求1或2所述的光接收器(22),其中,所述双雪崩光电二极管(124)与互连单元相关联,在雪崩击穿之前的静止状态中,所述互连单元将所述前雪崩光电二极管元件(24a)保持在高于所述击穿电压的偏置电压上,并且将所述后雪崩光电二极管元件(24b)保持在低于所述击穿电压的偏置电压上,或反之亦然。

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