[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 201910754764.2 | 申请日: | 2019-08-15 |
| 公开(公告)号: | CN110890398A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
| 发明(设计)人: | 李旺宇;高武恂;金炫植;朴永祐;孙世完;安珍星;禹珉宇;李圣俊;李廷洙;李知嬗;池得明 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 杜正国 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.显示装置,包括:
衬底;
半导体层,所述半导体层位于所述衬底上;
第一绝缘层,所述第一绝缘层位于所述半导体层上;
第一导电层,所述第一导电层位于所述半导体层上;
第二绝缘层,所述第二绝缘层位于所述第一导电层上;
第一接触孔,所述第一接触孔穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层;
第二导电层,所述第二导电层位于所述第二绝缘层上,通过所述第一接触孔连接到所述半导体层,并且包括氢阻挡材料;以及
第三绝缘层,所述第三绝缘层位于所述第二导电层上。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第三绝缘层包括氮化硅和二氧化硅,以及
所述第二导电层包括钛、锡、镍、氧化铟锌和氧化铟锡中的至少一种。
3.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二导电层包括:
金属导电层,所述金属导电层位于所述第二绝缘层上并且通过所述第一接触孔连接到所述半导体层;以及
氢阻挡层,所述氢阻挡层位于所述金属导电层上并且包括所述氢阻挡材料。
4.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二导电层包括:
第一氢阻挡层,所述第一氢阻挡层位于所述第二绝缘层上;
金属导电层,所述金属导电层位于所述第一氢阻挡层上;以及
第二氢阻挡层,所述第二氢阻挡层位于所述金属导电层上。
5.如权利要求1所述的显示装置,还包括:
第二接触孔,所述第二接触孔穿透所述第三绝缘层以暴露所述第二导电层,所述第二接触孔不与所述第一接触孔重叠;以及
第三导电层,所述第三导电层位于所述第三绝缘层上并且通过所述第二接触孔、所述第二导电层和所述第一接触孔电连接到所述半导体层。
6.如权利要求5所述的显示装置,其中,所述第三导电层包括所述氢阻挡材料,并且所述第一导电层包括晶体管的栅电极,所述第二导电层包括所述晶体管的第一电极,并且所述晶体管的所述第一电极通过所述第一接触孔连接到所述半导体层。
7.如权利要求6所述的显示装置,其中,所述第三导电层包括信号布线,所述信号布线通过所述第二接触孔电连接到所述晶体管的所述第一电极。
8.如权利要求7所述的显示装置,其中,所述半导体层包括在第一方向延伸的第一部分,并且所述信号布线在所述第一方向上延伸并且与所述半导体层的所述第一部分重叠。
9.如权利要求6所述的显示装置,还包括:
第四绝缘层,所述第四绝缘层位于所述第三导电层上;以及
显示元件层,所述显示元件层位于所述第四绝缘层上并且包括发光元件,
其中,所述第三导电层包括通过所述第二接触孔电连接到所述晶体管的所述第一电极的通过电极,以及
所述发光元件通过穿透所述第四绝缘层以暴露所述通过电极的第三接触孔电连接到所述通过电极。
10.如权利要求6所述的显示装置,其中,所述第三导电层还包括:
与电容器的所述第一电极重叠的所述电容器的第二电极和将所述晶体管的所述第一电极连接到所述电容器的所述第二电极的导电图案;以及
通过所述第二接触孔电连接到所述导电图案的信号布线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





