[发明专利]一种掩膜板缺陷的修复方法

说明书

本发明公开了一种掩膜板缺陷的修复方法，对掩膜板的缺陷区域进行修复填充处理之前，在缺陷区域周侧的基底上沉积光晕材料层。本发明通过在缺陷区域周侧的基底上沉积光晕材料层，能够在掩膜板的缺陷区域的周侧形成光晕以对基底形成保护，由此可以防止在聚焦离子束进行缺陷区域修复的时候在基底上形成离子层。相比于现有技术中，需要进行多次刻蚀以去除缺陷周围的离子层的方法，本申请提供的掩膜板缺陷的修复方法步骤更少，耗时更短。由于沉积了光晕材料层来保护缺陷区域周侧的基底，在进行缺陷修复的时候，可以任意设置参数，离子束修复工具的质量不会对修复质量造成太大影响，从而掩膜板修复的效果更好。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种掩膜板缺陷的修复方法。

背景技术

半导体芯片的制造过程通常需要经历材料制备、制版、光刻、清洗、刻蚀、掺杂、化学机械研磨等多道工序，其中，光刻工艺是最复杂也最重要的一道工序。而在光刻工艺中，掩膜板起到了非常关键的作用。每道光刻工序都需要用到一块掩膜板，每块掩膜板品质高低都直接影响到晶圆上光刻图案的质量，进而影响芯片的成品率。因此，掩膜板上的掩膜图案必须完整无缺才能呈现原始集成电路设计版图的完整图案。一旦把不完整的掩膜图案转印到晶圆上，就会造成晶圆制成品的质量不合格。

在掩膜板的制作过程中，通常会由于各种因素，导致制得的掩膜板存在缺陷，而通常掩膜板的价格不菲，故不可能将有缺陷的掩膜板丢弃，而是对其进行修复。

图形缺少是掩膜板的缺陷之一，现有的对掩膜板的缺陷进行修复过程中，对图形缺少的缺陷的基本修复方法通常是采用在缺陷位置喷射离子束进行沉积的方法。但离子束修复由于芯片尺寸较小、离子束喷射工具精度较低等种种原因，在最初确定缺陷位置的时候，容易遗漏一些细小的缺陷。这种缺陷一旦遗漏，对后续的光刻工艺的影响都是非常大的，尤其是当在光刻图案上沉积其他材料层的时候，其他材料层会渗入进缺陷中，造成了其他材料层部分丢失的问题。

具体的，如图1所示，现有技术中掩膜板的制作和缺陷修复的过程为：首先对掩膜板进行刻蚀以形成掩膜图案，然后刻蚀掩膜图案，并进行目标排列找出缺陷所在的位置；之后对缺陷进行修复，再将缺陷周围多余的离子束移除，并进行目标排列；然后再沉积掩膜板，并对掩膜板进行刻蚀，最后确定缺陷的位置并对缺陷周围的掩膜板进行最终的刻蚀。

但是这种工艺由于操作步骤过多，通常完成一次修复需要耗费24个小时左右的时间；并且由于是在掩膜板上直接进行刻蚀、沉积再刻蚀，在用离子束修复时，对离子束喷射的面积、数量等都有很高的要求，而现有的离子束喷射工具无法满足如此高精度的需求，因此修复过后的掩膜板的优品率较低。

因此，需要提供一种耗时更短、修复效果更好的掩膜板缺陷的修复方法。

发明内容

本发明的目的在于解决现有技术中，掩膜板缺陷修复耗时较长且效果不佳的问题。本发明提供了一种掩膜板缺陷的修复方法,可缩短掩膜板缺陷的修复时长、提高修复效果。

为解决上述技术问题，本发明的实施方式公开了一种掩膜板缺陷的修复方法，对所述掩膜板的缺陷区域进行修复填充处理之前，在所述缺陷区域周侧的基底上沉积光晕材料层。

采用上述方案，在缺陷区域周侧的基底上沉积光晕材料层，能够在掩膜板的缺陷区域的周侧形成光晕以对掩膜图案之间的基底形成保护，由此可以防止在聚焦离子束进行缺陷区域修复的时候在无需有离子层沉积的基底上形成离子层。修复完成后直接用紫外线去除光晕材料层即可。相比于现有技术中，需要进行多次刻蚀以去除缺陷周围的离子层的方法，本申请提供的掩膜板缺陷的修复方法步骤更少，耗时更短。进一步地，由于沉积了光晕材料层来保护缺陷区域周侧的基底，在用聚焦离子束的方法进行缺陷修复的时候，可以任意设置修复时的参数，离子束修复工具的质量不会对缺陷的修复质量造成太大的影响，从而掩膜板修复的效果也就更好。

根据本发明的另一具体实施方式，本发明的实施方式公开的一种掩膜板缺陷的修复方法，所述在所述缺陷区域周侧的基底上沉积光晕材料层包括：