[发明专利]一种掩膜板缺陷的修复方法在审

专利信息
申请号: 201910747024.6 申请日: 2019-08-14
公开(公告)号: CN112394613A 公开(公告)日: 2021-02-23
发明(设计)人: 张健澄 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G03F1/72 分类号: G03F1/72
代理公司: 上海德禾翰通律师事务所 31319 代理人: 侯莉
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 掩膜板 缺陷 修复 方法
【权利要求书】:

1.一种掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,对所述掩膜板的缺陷区域进行修复填充处理之前,在所述缺陷区域周侧的基底上沉积光晕材料层。

2.根据权利要求1所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,所述在所述缺陷区域周侧的基底上沉积光晕材料层包括:

根据所述缺陷区域确定出所述基底上与其对应的相对区域,在所述相对区域上沉积所述光晕材料层,所述相对区域靠近所述缺陷区域;或,在所述掩膜板的掩膜图案周侧的基底上皆沉积所述光晕材料层;

所述缺陷区域形成于所述掩膜图案上。

3.根据权利要求1所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,所述修复填充处理包括:在所述缺陷区域沉积修复材料层。

4.根据权利要求1-3之一所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,在所述缺陷区域周侧的基底上沉积所述光晕材料层之后,在对所述掩膜板的缺陷区域进行修复填充处理之前,还包括:

目标排列,所述目标排列包括对所述掩膜板进行缺陷检测,以确定出所述缺陷的位置。

5.根据权利要求1所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,在所述对所述掩膜板的缺陷区域进行修复填充处理之后,还包括:移除所述光晕材料层。

6.根据权利要求5所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,在所述移除所述光晕材料层之后,还包括:

移除所述缺陷区域外侧的所述修复材料层。

7.根据权利要求6所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,所述移除所述光晕材料层的方法包括:

湿法刻蚀所述光晕材料层;或,

对所述掩膜板进行紫外光照射处理。

8.根据权利要求7所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,对所述掩膜板进行紫外光照射处理时采用的紫外光的波长为130nm-250nm。

9.根据权利要求5-8之一所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,所述基底采用石英、水晶中的一种或多种制成;

所述掩膜板的材料为铬;

所述修复材料层的材料为萘。

10.根据权利要求1所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,通过喷涂光晕材料气体以形成所述光晕材料层。

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