[发明专利]一种掩膜板缺陷的修复方法在审
申请号: | 201910747024.6 | 申请日: | 2019-08-14 |
公开(公告)号: | CN112394613A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 张健澄 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72 |
代理公司: | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人: | 侯莉 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 缺陷 修复 方法 | ||
1.一种掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,对所述掩膜板的缺陷区域进行修复填充处理之前,在所述缺陷区域周侧的基底上沉积光晕材料层。
2.根据权利要求1所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,所述在所述缺陷区域周侧的基底上沉积光晕材料层包括:
根据所述缺陷区域确定出所述基底上与其对应的相对区域,在所述相对区域上沉积所述光晕材料层,所述相对区域靠近所述缺陷区域;或,在所述掩膜板的掩膜图案周侧的基底上皆沉积所述光晕材料层;
所述缺陷区域形成于所述掩膜图案上。
3.根据权利要求1所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,所述修复填充处理包括:在所述缺陷区域沉积修复材料层。
4.根据权利要求1-3之一所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,在所述缺陷区域周侧的基底上沉积所述光晕材料层之后,在对所述掩膜板的缺陷区域进行修复填充处理之前,还包括:
目标排列,所述目标排列包括对所述掩膜板进行缺陷检测,以确定出所述缺陷的位置。
5.根据权利要求1所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,在所述对所述掩膜板的缺陷区域进行修复填充处理之后,还包括:移除所述光晕材料层。
6.根据权利要求5所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,在所述移除所述光晕材料层之后,还包括:
移除所述缺陷区域外侧的所述修复材料层。
7.根据权利要求6所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,所述移除所述光晕材料层的方法包括:
湿法刻蚀所述光晕材料层;或,
对所述掩膜板进行紫外光照射处理。
8.根据权利要求7所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,对所述掩膜板进行紫外光照射处理时采用的紫外光的波长为130nm-250nm。
9.根据权利要求5-8之一所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,所述基底采用石英、水晶中的一种或多种制成;
所述掩膜板的材料为铬;
所述修复材料层的材料为萘。
10.根据权利要求1所述的掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,通过喷涂光晕材料气体以形成所述光晕材料层。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备