[发明专利]膜沉积系统以及在膜沉积系统中控制粒子的方法在审

专利信息
申请号: 201910745121.1 申请日: 2019-08-13
公开(公告)号: CN110819954A 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 郭宗翰;汪柏澍;王伟民 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/46;H01J37/32
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳;郑特强
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 沉积 系统 以及 控制 粒子 方法
【权利要求书】:

1.一种膜沉积系统,包括:

一工艺腔室,能密封以产生一加压环境,并配置以在该加压环境中包含一等离子体、一靶材以及一基板;以及

一粒子控制单元,其中该粒子控制单元被配置以提供一外力到该等离子体中的至少一个带电原子以及至少一个污染粒子的每一者,其中该至少一个带电原子以及该至少一个污染粒子是通过该靶材与该等离子体直接接触而产生,

其中该外力被配置以将该至少一个带电原子引导朝向该基板的一顶表面,并将该至少一个污染粒子引导远离该基板的该顶表面。

2.如权利要求1所述的膜沉积系统,其中该粒子控制单元包括至少一对电磁线圈或至少一对感应电极。

3.如权利要求2所述的膜沉积系统,其中该至少一对电磁线圈以及该至少一对感应电极的每一者包括铁与锰的至少一者。

4.如权利要求2所述的膜沉积系统,其中该至少一对感应电极配置为在该粒子控制单元中的一第一感应电极以及一第二感应电极之间提供一电场。

5.一种在膜沉积系统中控制粒子的方法,包括:

提供一等离子体,以直接接触一工艺腔室中的至少一个靶材,从而产生至少一个带电原子以及至少一个污染粒子;

在该等离子体中的该至少一个带电原子以及该至少一个污染粒子的每一者上产生一外力,以将该至少一个带电原子导引朝向一基板;以及

将该至少一个带电原子导引至该基板的一表面上的一第一位置,其中是通过偏离该工艺腔室的一中心的一基板座以配置该第一位置。

6.如权利要求5所述的在膜沉积系统中控制粒子的方法,其中该外力是由至少一对电磁线圈或至少一对感应电极提供。

7.如权利要求6所述的在膜沉积系统中控制粒子的方法,其中该至少一对电磁线圈配置为在一第一电磁线圈以及一第二电磁线圈之间提供一磁场。

8.一种膜沉积系统,包括:

一工艺腔室,能密封以产生一加压环境,并配置以在该加压环境中包含一等离子体、一靶材以及一基板;以及

一粒子控制单元,其中该粒子控制单元被配置以提供一外力到该等离子体中的至少一个带电原子以及至少一个污染粒子的每一者,其中该至少一个带电原子以及该至少一个污染粒子是通过该靶材与该等离子体直接接触而产生,

其中该外力被配置以将该至少一个带电原子引导朝向该基板的一顶表面,并将该至少一个污染粒子引导远离该基板的该顶表面,其中该基板是通过偏离该工艺腔室的一中心的一基板座支撑,且该粒子控制单元包括至少一对电磁线圈或至少一对感应电极。

9.如权利要求8所述的膜沉积系统,其中该至少一对电磁线圈以及该至少一对感应电极的每一者配置为靠近于该靶材并相对于该工艺腔室的该中心具有二重旋转对称。

10.如权利要求8所述的膜沉积系统,其中该至少一对电磁线圈以及该至少一对感应电极的每一者具有方形或圆形的形状。

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