[发明专利]存储器装置以及制造该存储器装置的方法

说明书

存储器装置以及制造该存储器装置的方法。一种垂直存储器装置包括：基板，其包括存储器单元区域和接触区域；多个栅极，其从存储器单元区域延伸到接触区域并且包括焊盘部分，多个所述焊盘部分是在接触区域中按照阶梯形状层叠的多个端部；多个接触插塞，其联接到栅极的焊盘部分；以及多个支撑件，其形成在栅极的焊盘部分下方。

技术领域

各种实施方式总体上涉及半导体装置，更具体地，涉及一种垂直半导体装置以及制造该垂直半导体装置的方法。

背景技术

最近，由于存储器装置的集成度的增加，正在开发具有三维结构的存储器装置。三维存储器装置可包括垂直地层叠在基板上方的存储器单元。由于存储器装置的容量的增加，制造存储器装置的工艺的难度逐渐增加。

发明内容

根据实施方式，一种垂直存储器装置包括：基板，其包括存储器单元区域和接触区域；多个栅极，其从存储器单元区域延伸到接触区域并且包括焊盘部分，多个所述焊盘部分是在接触区域中按照阶梯形状层叠的端部；多个接触插塞，其联接到栅极的焊盘部分；以及多个支撑件，其形成在栅极的焊盘部分下方。

根据实施方式，一种制造垂直存储器装置的方法包括以下步骤：在基板上方形成多个介电层和多个牺牲层交替地层叠的交替层叠物；在交替层叠物的一部分中形成阶梯结构；形成分别覆盖阶梯结构并且联接到牺牲层的多个牺牲焊盘；分别利用栅极和焊盘部分替换牺牲层和牺牲焊盘；形成分别联接到焊盘部分的多个接触插塞；以及在各个焊盘部分下方分别形成两个或更多个支撑件。

根据实施方式，一种制造垂直存储器装置的方法包括以下步骤：在限定有存储器单元区域和接触区域的基板上方形成多个介电层和多个牺牲层交替地层叠的交替层叠物；在接触区域的交替层叠物中形成嵌入有多对支撑件的阶梯结构；形成分别覆盖成对的支撑件并且联接到存储器单元区域的牺牲层的多个牺牲焊盘；分别利用栅极替换存储器单元区域的牺牲层；分别利用焊盘部分替换接触区域的牺牲焊盘；以及形成分别联接到焊盘部分的多个接触插塞，其中，所述多对支撑件分别被定位在焊盘部分下方。

根据实施方式，一种垂直存储器装置包括：基板，其包括第一区域和第二区域；多个水平介电层和多个水平导电层，其从第一区域延伸到第二区域并且具有在第二区域中按照阶梯形状层叠的端部；多个垂直导电层，其联接到水平导电层的端部；以及至少一对介电支撑件，其形成在水平导电层的各个端部下方并且穿透水平介电层。

附图说明

图1A是示出根据实施方式的垂直存储器装置的平面图。

图1B是沿着图1A所示的线A-A’截取的垂直存储器装置的横截面图。

图2A至图2M示出支撑结构的各种应用示例。

图3A至图3G示出支撑结构的其它应用示例。

图4A至图4K是示出根据实施方式的垂直存储器装置的制造方法的横截面图。

具体实施方式

下面将参照附图描述实施方式的示例。然而，实施方式可按照不同的形式具体实现，不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将彻底和完整，并且将向本领域技术人员充分传达范围。贯穿本公开，相似的标号贯穿各种附图和实施方式表示相似的部件。

附图未必按比例，在一些情况下，比例可能被夸大以便清楚地示出实施方式的特征。当第一层被称为在第二层“上”或在基板“上”时，其不仅指第一层直接形成在第二层或基板上的情况，而且指在第一层与第二层或基板之间存在第三层的情况。

本发明的实施方式涉及一种具有优异电特性和高集成度的垂直半导体装置以及制造该垂直半导体装置的方法。

图1A是示出根据实施方式的垂直存储器装置的平面图。图1B是沿着图1A所示的线A-A’截取的垂直存储器装置的横截面图。