[发明专利]存储器装置以及制造该存储器装置的方法

权利要求书

1.一种垂直存储器装置，该垂直存储器装置包括：

基板，该基板包括存储器单元区域和接触区域；

多个栅极，所述多个栅极从所述存储器单元区域延伸到所述接触区域并且包括焊盘部分，多个所述焊盘部分是在所述接触区域中按照阶梯形状层叠的多个端部；

多个接触插塞，所述多个接触插塞联接到所述栅极的所述焊盘部分；以及

多个支撑件，所述多个支撑件联接在所述栅极的所述焊盘部分与所述基板之间。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，多个所述焊盘部分中的至少一个焊盘部分通过两个或更多个支撑件联接到所述基板，所述两个或更多个支撑件包括介电材料。

3.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，对于通过两个或更多个支撑件联接到所述基板并且联接到所述多个接触插塞中的接触插塞的各个所述焊盘部分，所述两个或更多个支撑件中的第一支撑件与所述接触插塞垂直地交叠，并且所述两个或更多个支撑件中的第二支撑件与所述第一支撑件间隔开。

4.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，各个所述支撑件从所述基板的表面基本上垂直地延伸以与所述多个栅极中的栅极联接。

5.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，联接在所述基板的表面与所述多个栅极中的栅极之间的两个或更多个支撑件的上表面具有距所述基板的所述表面的不同高度。

6.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，各个所述支撑件的底表面接触所述基板的表面。

7.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，联接到多个所述焊盘部分中的焊盘部分的各个所述支撑件的横截面积大于所述多个接触插塞中的联接到所述焊盘部分的接触插塞的横截面积。

8.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，该垂直存储器装置还包括：

形成在多个所述栅极之间的多个介电层。

9.根据权利要求8所述的垂直存储器装置，其中，所述介电层和所述支撑件由基本上相同的材料形成。

10.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，该垂直存储器装置还包括：

多个垂直沟道结构，所述多个垂直沟道结构穿透层叠在所述存储器单元区域中的多个所述栅极。

11.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，各个所述支撑件的横截面具有大致圆形、椭圆形或多边形形状。

12.一种用于制造垂直存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

在基板上方形成多个介电层和多个牺牲层交替地层叠的交替层叠物；

在所述交替层叠物的一部分中形成阶梯结构；

形成分别覆盖所述阶梯结构并且联接到所述牺牲层的多个牺牲焊盘；

分别利用栅极和焊盘部分替换所述牺牲层和所述牺牲焊盘；

形成分别联接到所述焊盘部分的多个接触插塞；以及

分别在各个所述焊盘部分下方形成两个或更多个支撑件。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在分别在各个所述焊盘部分下方形成所述两个或更多个支撑件的步骤中，

所述两个或更多个支撑件当中的至少一个支撑件形成为与联接到相应焊盘部分的所述接触插塞垂直地交叠，并且所述两个或更多个支撑件当中的其它支撑件形成为不与联接到相应焊盘部分的所述接触插塞交叠。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，在分别在各个所述焊盘部分下方形成所述两个或更多个支撑件的步骤中，

分别形成在各个所述焊盘部分下方的所述两个或更多个支撑件中的至少一个支撑件包括与用于相应焊盘部分的接触插塞垂直地交叠的至少一个支撑件以及不与用于相应焊盘部分的所述接触插塞交叠的至少一个支撑件。