[发明专利]层间绝缘层及薄膜晶体管的制备方法

说明书

本发明提供一种层间绝缘层及薄膜晶体管的制备方法，属于显示技术领域，其可解决现有的层间绝缘层抗击穿能力较差的问题。本发明的层间绝缘层的制备方法包括：利用第一反应性气体形成氧化硅膜层和利用第二反应性气体形成氮化硅膜层，以使所形成的氮化硅膜层中的氢含量小于或者等于氧化硅膜层中的氢含量。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种层间绝缘层及薄膜晶体管的制备方法。

背景技术

大尺寸有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)显示产品中由于栅极与金属层的厚度较厚，其中间的层间绝缘层也同样相对较厚。目前一般采用沉积两层氧化硅膜层的方式形成较厚的层间绝缘层。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：氧化硅膜层硬度较硬，且介电常数较低，受到栅极和金属层的电压影响，容易被击穿，从而影响显示产品的显示效果。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种层间绝缘层及薄膜晶体管的制备方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种层间绝缘层的制备方法，包括形成氧化硅膜层和氮化硅膜层的步骤；所述形成氧化硅膜层和氮化硅膜层的步骤，包括：

利用第一反应性气体形成氧化硅膜层和利用第二反应性气体形成氮化硅膜层，以使所形成的氮化硅膜层中的氢含量小于或者等于氧化硅膜层中的氢含量。

可选地，所述利用第一反应性气体形成氧化硅膜层，包括：

利用甲硅烷和一氧化二氮，沉积形成氧化硅膜层。

可选地，所述利用第二反应性气体形成氮化硅膜层，包括：

利用三硅胺和氮气，沉积形成氮化硅膜层。

可选地，所述氧化硅膜层中的氢含量为1％至2％；所述氮化硅膜层中的氢含量为1％至2％。

可选地，所述氮化硅膜层的介电常数高于所述氧化硅膜层的介电常数。

可选地，所述氧化硅膜层的厚度大于2500埃，所述氮化硅膜层的厚度大于2500埃。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管的制备方法，该薄膜晶体管的制备方法包括：如上述的层间绝缘层的制备方法。

可选地，形成包括氧化硅膜层和氮化硅膜层组成的层间绝缘层之前，包括：

在基底上依次形成有源层、栅极绝缘层和栅极。

可选地，所述有源层包括氧化物有源层；

形成所述层间绝缘层的步骤包括：依次形成所述氧化硅膜层和所述氮化硅膜层。

可选地，形成包括氧化硅膜层和氮化硅膜层组成的层间绝缘层之后，包括：

通过构图工艺，形成贯穿于所述氧化硅膜层和所述氮化硅膜层的源极接触过孔和漏极接触过孔；

在所述氮化硅膜层上源极和漏极，使得所述源极通过所述源极接触过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述漏极接触过孔与所述有源层连接。

附图说明

图1为一种顶栅型薄膜晶体管的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种层间绝缘层的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种层间绝缘层的制备方法的流程图；

图4为本发明实施例提供的氢含量测试结果示意图；

图5为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图；