[发明专利]一种提高钙钛矿光电性能的方法在审

专利信息
申请号: 201910722243.9 申请日: 2019-08-06
公开(公告)号: CN110429178A 公开(公告)日: 2019-11-08
发明(设计)人: 赵一新;钱旭芳;王兴涛;王勇;张太阳;刘晓敏;武敏 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/44
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 庄文莉
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 钙钛矿薄膜 光电性能 钙钛矿 浸泡 大规模化生产 薄膜制备 表面残余 表面致密 溶剂去除 后退火 季铵盐 溶剂 表现
【权利要求书】:

1.一种提高钙钛矿光电性能的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:

S1、将一定量季铵盐溶于溶剂中,得到溶液A;

S2、将钙钛矿薄膜浸泡在溶液A中一定时间;

S3、用气流将浸泡过的钙钛矿薄膜表面残余溶剂去除后退火,即可。

2.如权利要求1所述的提高钙钛矿光电性能的方法,其特征在于,步骤S1中,所述溶剂为异丙醇或甲酸甲酯。

3.如权利要求1所述的提高钙钛矿光电性能的方法,其特征在于,步骤S1中,所述的季铵盐包括苯基三甲基碘化铵,四丁基碘化铵,碘化胆碱,苄基三甲基碘化铵中的任一种或多种。

4.如权利要求1所述的提高钙钛矿光电性能的方法,其特征在于,步骤S1中,所述的溶液A中季铵盐的浓度为0.5-10mg/mL。

5.如权利要求1所述的提高钙钛矿光电性能的方法,其特征在于,步骤S2中,所述浸泡时间为5s-1h。

6.如权利要求1所述的提高钙钛矿光电性能的方法,其特征在于,步骤S3中,所述气流为氮气或氩气或干燥空气。

7.如权利要求1所述的提高钙钛矿光电性能的方法,其特征在于,步骤S3中,所述退火温度为60-100℃,时间为2-10min。

8.如权利要求1所述的提高钙钛矿光电性能的方法,其特征在于,步骤S2中,所述钙钛矿薄膜包括有机无机杂化铅卤素钙钛矿薄膜、全无机铯铅卤素钙钛矿薄膜。

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