[发明专利]蚀刻方法和半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其特征在于：

通过在层叠于层叠结构之上的有机绝缘膜设置的开口对该层叠结构进行蚀刻，其中所述层叠结构是将至少1层氧化硅膜和至少1层氮化硅膜层叠而形成的，

所述蚀刻方法包括：

第一步骤，其利用由CF系气体和含有氧原子的气体构成的第一处理气体而生成的等离子体，通过所述开口来蚀刻所述层叠结构；和

第二步骤，其利用等离子体，通过所述开口对所述层叠结构进行蚀刻，其中所述等离子体是利用由CF系气体和稀有气体构成的或者由CHF系气体和稀有气体构成的第二处理气体而生成的。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述层叠结构的最上层和最下层是所述氮化硅膜，

所述层叠结构在所述最上层与所述最下层之间具有至少1层所述氧化硅膜，

最上层的所述氮化硅膜由所述第一步骤蚀刻，

至少1层所述氧化硅膜由所述第二步骤蚀刻。

3.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述第一步骤中的CF系气体相对于含有氧原子的气体之比为2至5，

所述第二步骤中的CF系气体相对于稀有气体之比或者CHF系气体相对于稀有气体之比为1至5。

4.如权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述第一处理气体的CF系气体是CF₄气体，

所述第一处理气体的含有氧原子的气体是O₂气体或者O₃气体，

所述第二处理气体的CF系气体是CF₄气体、C₄F₈气体、C₅F₈气体中的任意者，

所述第二处理气体的CHF系气体是CHF₃气体、CH₂F₂气体、CH₃F气体中的任意者，

所述第二处理气体的稀有气体是Ar气体或者Xe气体。

5.如权利要求1至4中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

由所述第一步骤和所述第二步骤贯通了所述层叠结构后，不除去所述有机绝缘膜。

6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

第三步骤，其在将至少1层氧化硅膜和至少1层氮化硅膜层叠而形成的层叠结构之上形成具有开口的有机绝缘膜；

第一步骤，其利用等离子体，通过所述开口对所述层叠结构进行蚀刻，其中所述等离子体是利用由CF系气体和含有氧原子的气体构成的第一处理气体而生成的；

第二步骤，其利用等离子体，通过所述开口对所述层叠结构进行蚀刻，其中所述等离子体是利用由CF系气体和稀有气体构成的或者由CHF系气体和稀有气体构成的第二处理气体而生成的；和

在所述有机绝缘膜的上方形成导体膜的第四步骤。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述层叠结构的最上层和最下层是所述氮化硅膜，

所述层叠结构在所述最上层与所述最下层之间具有至少1层所述氧化硅膜，

最上层的所述氮化硅膜由所述第一步骤蚀刻，

至少1层所述氧化硅膜由所述第二步骤蚀刻。

8.如权利要求6或7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述第一步骤中的CF系气体相对于含有氧原子的气体之比为2至5，

所述第二步骤中的CF系气体相对于稀有气体之比或者CHF系气体相对于稀有气体之比为1至5。

9.如权利要求6至8中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

在所述第四步骤之前，在所述有机绝缘膜之上形成电介质膜。

10.如权利要求6至9中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述第一处理气体的CF系气体是CF₄气体，

所述第一处理气体的含有氧原子的气体是O₂气体或者O₃气体，

所述第二处理气体的CF系气体是CF₄气体、C₄F₈气体、C₅F₈气体中的任意者，

所述第二处理气体的CHF系气体是CHF₃气体、CH₂F₂气体、CH₃F气体中的任意者，

所述第二处理气体的稀有气体是Ar气体或者Xe气体。