[发明专利]高温度稳定性的声表波滤波器及其制备方法与应用在审
申请号: | 201910716397.7 | 申请日: | 2019-08-05 |
公开(公告)号: | CN110601672A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 刘绍侃;蒋燕港;卢翠;李强 | 申请(专利权)人: | 北京中讯四方科技股份有限公司;深圳华远微电科技有限公司 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/64 |
代理公司: | 44312 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 李倩竹 |
地址: | 100000 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声表波 叉指换能器电极 滤波器 基底 压电 高温度稳定性 绝缘保护层 制备方法和应用 频率温度系数 制备方法工艺 层叠结合 工作性能 固定设置 间隔分布 使用寿命 良品率 瑞利波 寄生 可控 滤波 凸起 制备 响应 覆盖 保证 | ||
本发明公开了一种高温度稳定性的声表波滤波器及其制备方法和应用。所述声表波滤波包括压电基底,至少具有一平面;叉指换能器电极,所述叉指换能器电极是固定设置在所述压电基底的所述平面上;绝缘保护层,所述绝缘保护层具有相对的两个表面,其中一表面层叠结合在所述压电基底的所述平面上,并覆盖所述叉指换能器电极;另一表面上形成有若干间隔分布的凸起。所述声表波滤波器具有低的频率温度系数和低的瑞利波寄生响应现象,而且具有工作性能稳定性和使用寿命长等优点。另外,所述制备方法工艺条件可控,能够有效保证制备的高温度稳定性的声表波滤波器性能稳定,良品率高,成本低。
技术领域
本发明属于微电子技术领域,具体涉及一种高温度稳定性的声表波滤波器及其制备方法与应用。
背景技术
声表面波是指声波在弹性体表面的传播,这个波被称为弹性声表面波。声表面波的传播速度比电磁波的速度约小10万倍。声表面波滤波器普遍采用石英晶体、压电陶瓷等压电材料,利用其压电效应和声表面波传播的物理特性而制成的一种滤波专用器件。所谓压电效应,即是当晶体受到机械作用时,将产生与压力成正比的电场的现象。具有压电效应的晶体,在受到电信号的作用时,也会产生弹性形变而发出机械波(声波),即可把电信号转为声信号。由于这种声波只在晶体表面传播,故称为声表面波。
声表面波滤波器的英文缩写为SAWF,声表面波滤波器具有体积小,重量轻、性能可靠、不需要复杂调整。在有线电视系统中实现邻频传输的关键器件。声表面波滤波器具有频率响应平坦、矩形系数好和可以用放大器补偿电平损失等优点。因此,所述声表面波滤波器在通讯和视频领域得到了广发的应用。
20世纪末的海湾战争是现代新型战争的起点,其中信息高速传输与对抗起到了关键作用,对信息高速传输的控制,是现代新型战争敌我双方争夺的新制高点。基于SAWF的优点,SAWF成为军事信息传输和对抗设备也包括民用信息传输设备中的重要频率元器件。但由于常规SAWF滤波器的频率温度系数的影响,在考虑实际应用,设计时需要大幅增加通带宽度,这样不可避免地占用大量宝贵的频谱资源。而且由于常规SAWF滤波器频率温度系数大,在温度变化大的军事和民生应用环境中,常规SAWF滤波器电性能的变化会恶化军事和民生装备性能指标。例如SAWF滤波器是相控阵雷达T/R通道中的重要元器件,相控阵雷达各T/R通道因发热或者受外界环境的影响出现较大温度变化,导致常规SAWF因频率温度系数大出现频率漂移等电性能参数变化,从而引起相控阵雷达各信道单元相位变化,进而影响相控阵雷达的整体电性能。另外发现,现有的SAWF滤波器还存在瑞利波寄生响应现象。
虽然也有公开在现有SAWF滤波器中也于叉指上覆盖一层保护层,但是其保护层仅仅是为了起到保护作用,不能够有效解决SAWF滤波器的瑞利波寄生响应现象,也不能够降低有SAWF滤波器的频率温度系数大的问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的所述不足,提供一种高温度稳定性的声表波滤波器及其制备方法,以解决现有SAWF存在的温度系数大而导致出现频率漂移等电性能参数变化的不足。
为了实现所述发明目的,本发明一方面,提供了一种高温度稳定性的声表波滤波器。所述高温度稳定性的声表波滤波器包括:
压电基底,至少具有一平面;
叉指换能器电极,所述叉指换能器电极是固定设置在所述压电基底的所述平面上;
绝缘保护层,所述绝缘保护层具有相对的两个表面,其中一表面层叠结合在所述压电基底的所述平面上,并覆盖所述叉指换能器电极;另一表面上形成有若干间隔分布的凸起。
本发明另一方面,提供了本发明高温度稳定性的声表波滤波器的一种制备方法。所述高温度稳定性的声表波滤波器制备方法包括如下步骤:
在压电基底的一平面上制备叉指换能器电极;
在所述压电基底的所述平面上沉积绝缘保护膜层,并使得所述绝缘保护膜层覆盖所述叉指换能器电极;
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